RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Ташмухамедова Дилноза Артикбаевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Влияние деформации на термоЭДС в силикатном стекле, легированном диоксидом рутения

    ЖТФ, 95:7 (2025),  1375–1384
  2. Особенности фотоэлектронных спектров Ge, имплантированного ионами Na$^+$

    Письма в ЖТФ, 49:1 (2023),  27–30
  3. Влияние адсорбции атомов Ba на состав, эмиссионные и оптические свойства монокристаллов CdS

    Письма в ЖТФ, 47:12 (2021),  3–5
  4. Влияние имплантации ионов Ba$^{+}$ на состав и электронные свойства пленок MoO$_{3}$/Mo (111)

    ЖТФ, 90:5 (2020),  831–834
  5. Влияние разупорядочения тонких поверхностных слоев на электронные и оптические свойства Si (111)

    Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020),  1211–1216
  6. Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны наноразмерных фаз Si, созданных на различных глубинах приповерхностной области SiO$_{2}$

    Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  32–34
  7. Глубина выхода вторичных и фотоэлектронов из пленок CdTe с пленкой Ba

    ЖТФ, 89:7 (2019),  1115–1117
  8. Электронные и оптические свойства нанопленок NiSi$_{2}$/Si

    ЖТФ, 89:5 (2019),  759–761
  9. Влияние образования силицидов на удельное сопротивление кремния

    Письма в ЖТФ, 45:7 (2019),  49–51
  10. Состав и структура наноразмерных слоев Ga$_{1-x}$Na$_{x}$As, созданных в приповерхностной области GaAs имплантацией ионов Na$^{+}$

    ЖТФ, 87:12 (2017),  1884–1886
  11. Состав морфология и электронная структура наноразмерных фаз, созданных на поверхности SiO$_{2}$ бомбардировкой ионами Ar$^{+}$

    ЖТФ, 86:4 (2016),  148–150
  12. Электронная структура наноразмерных структур Ga$_{1-x}$Al$_x$As, созданных на поверхности GaAs методом ионной имплантации

    ЖТФ, 85:10 (2015),  148–151
  13. Исследование структуры и свойств гетероструктурных нанопленок, созданных методами эпитаксии и ионной имплантации

    ЖТФ, 83:9 (2013),  146–149
  14. Электронная спектроскопия наноструктур, созданных в поверхностных слоях Si, GaAs и CaF$_2$ методом низкоэнергетической ионной имплантации

    ЖТФ, 83:6 (2013),  66–70


© МИАН, 2026