Ковчавцев Анатолий Петрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Анализ вольт-фарадных характеристик МДП-структур с ALD Al$_2$O$_3$ на $n$- и $p$-CdHgTe, стабилизированном сверхтонким собственным оксидом
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  915–921
2. Определение концентрации донорной примеси в тонких слоях $i$-InGaAs
   
   Письма в ЖТФ, 48:21 (2022),  40–42
3. Влияние фтора на плотность состояний на границе раздела анодный оксидный слой/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As
   
   Письма в ЖТФ, 47:10 (2021),  11–14
4. Исследование плотности интерфейсных состояний на границах раздела диэлектрик/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As
   
   Письма в ЖТФ, 46:10 (2020),  10–13
5. Матричные фотоприемные устройства на основе слоев InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   ЖТФ, 87:6 (2017),  900–904
6. Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах
   
   Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1652–1656
7. Влияние продольных структур на теплопередачу при гиперзвуковом обтекании угла сжатия
   
   Прикл. мех. техн. физ., 50:4 (2009),  112–120