|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Когерентные фононы субтерагерцового диапазона частот в InAs/GaSb сверхрешетках
Письма в ЖЭТФ, 122:12 (2025), 828–834
-
Одноэлектронный спектр короткопериодной InAs/GaSb сверхрешетки с интерфейсной компенсацией напряжений
Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024), 354–358
-
Использование микроскопии сопротивления растекания для определения параметров барьерного слоя в nBn-структурах на основе InSb
Письма в ЖТФ, 50:19 (2024), 33–35
-
Особенности структурирования и абляции тонких пленок титана фемтосекундными лазерными импульсами
Оптика и спектроскопия, 130:4 (2022), 517–521
-
Особенности характеристик солнечно-слепых электронно-оптических преобразователей с алмазными фотокатодами
Письма в ЖТФ, 47:9 (2021), 3–6
-
Гибридный фотоприемник среднего инфракрасного диапазона на основе полупроводниковых квантовых ям
Письма в ЖТФ, 47:8 (2021), 33–36
-
Сплавные омические контакты на основе Si/Al к нитридным гетеросистемам AlGaN/GaN
Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 461–466
-
Исследование устойчивости метастабильных эпитаксиальных слоев GeSn к термическим воздействиям
Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1570–1575
-
Наноструктуры Ge/GeSn с высоким содержанием олова, выращенные на подложках (001) GaAs и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1612–1618
-
Гетероструктуры Ge/GeSn, выращенные на Si (100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 128–133
© , 2026