Лукашин Владимир Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Всплеск дрейфовой скорости электронов в гетероструктурах с двусторонним донорно-акцепторным легированием и цифровыми барьерами
   
   Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  21–28
2. GaN-полевой транзистор с эффективным теплоотводом на Si-подложке
   
   Письма в ЖТФ, 49:2 (2023),  10–13
3. Всплеск дрейфовой скорости электронов в обращенных транзисторных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием и дополнительными цифровыми потенциальными барьерами
   
   Письма в ЖТФ, 48:12 (2022),  11–14
4. Полевой транзистор миллиметрового диапазона длин волн на основе псевдоморфной гетероструктуры с дополнительными потенциальными барьерами
   
   Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  52–54
5. Поверхностный тепловой интерфейс для мощных арсенид-галлиевых гетероструктурных полевых транзисторов
   
   ЖТФ, 89:2 (2019),  252–257
6. Особенности всплеска дрейфовой скорости электронов в DA-pHEMT
   
   Письма в ЖТФ, 44:17 (2018),  103–110
7. Двумерный электронный газ в обращенных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием
   
   Письма в ЖТФ, 43:12 (2017),  42–51
8. Исследование средней дрейфовой скорости электронов в pHEMT-транзисторах
   
   Письма в ЖТФ, 42:16 (2016),  41–47
9. Управление положением оптимальной рабочей точки мощного гетероструктурного полевого транзистора путем формирования подзатворного потенциального барьера на основе донорно-акцепторной структуры
   
   Письма в ЖТФ, 41:3 (2015),  81–87
10. Перспективы развития мощных полевых транзисторов на гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием
    
    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  684–692
11. Уменьшение роли поперечного пространственного переноса электронов и рост выходной мощности гетероструктурных полевых транзисторов
    
    Письма в ЖТФ, 38:17 (2012),  84–89
12. Двухчастотная лазерная генерация в трехбарьерных гетероструктурах с когерентным транспортом электронов
    
    Письма в ЖТФ, 36:23 (2010),  17–23