Лапин Владимир Григорьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Всплеск дрейфовой скорости электронов в гетероструктурах с двусторонним донорно-акцепторным легированием и цифровыми барьерами
   
   Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  21–28
2. Всплеск дрейфовой скорости электронов в обращенных транзисторных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием и дополнительными цифровыми потенциальными барьерами
   
   Письма в ЖТФ, 48:12 (2022),  11–14
3. Полевой транзистор миллиметрового диапазона длин волн на основе псевдоморфной гетероструктуры с дополнительными потенциальными барьерами
   
   Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  52–54
4. Поверхностный тепловой интерфейс для мощных арсенид-галлиевых гетероструктурных полевых транзисторов
   
   ЖТФ, 89:2 (2019),  252–257
5. Особенности всплеска дрейфовой скорости электронов в DA-pHEMT
   
   Письма в ЖТФ, 44:17 (2018),  103–110
6. Двумерный электронный газ в обращенных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием
   
   Письма в ЖТФ, 43:12 (2017),  42–51
7. Исследование средней дрейфовой скорости электронов в pHEMT-транзисторах
   
   Письма в ЖТФ, 42:16 (2016),  41–47
8. Управление положением оптимальной рабочей точки мощного гетероструктурного полевого транзистора путем формирования подзатворного потенциального барьера на основе донорно-акцепторной структуры
   
   Письма в ЖТФ, 41:3 (2015),  81–87
9. Перспективы развития мощных полевых транзисторов на гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием
   
   Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  684–692
10. Уменьшение роли поперечного пространственного переноса электронов и рост выходной мощности гетероструктурных полевых транзисторов
    
    Письма в ЖТФ, 38:17 (2012),  84–89
11. Транзисторные структуры с управляемым потенциальным рельефом одномерного квантового канала
    
    Письма в ЖТФ, 37:3 (2011),  85–92