Андреев Александр Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Магнетополевая характеризация физических свойств двумерного электронного газа нитридных транзисторных гетероструктур с высокой подвижностью электронов
   
   Физика и техника полупроводников, 59:2 (2025),  91–96
2. Магнетосопротивление и симметрия двумерного электронного газа гетероструктур AlGaN/AlN/GaN
   
   Письма в ЖЭТФ, 119:8 (2024),  598–603
3. Изучение эффективности теплоотвода композитных подложек “кремний на алмазе” для устройств на основе нитрида галлия
   
   Письма в ЖТФ, 48:7 (2022),  20–22
4. Подложки с алмазным теплоотводом для эпитаксиального роста GaN
   
   Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  13–16
5. Мощностные характеристики нитрид-галлиевых СВЧ-транзисторов на подложках кремния
   
   Письма в ЖТФ, 46:5 (2020),  11–14
6. Омические контакты к оксиду европия для устройств спинтроники
   
   Письма в ЖТФ, 45:7 (2019),  38–40
7. Изучение характеристик транзисторов на гетероструктурах нитрида галлия, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира и кремния
   
   Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  52–54
8. Туннельный ток во встречных диодах Шоттки, образованных контактами между вырожденным GaN $n$-типа и металлом
   
   Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  630–636
9. Влияние низкотемпературного надбарьерного слоя GaN на концентрацию электронов в гетероструктуре AlGaN/GaN
   
   ЖТФ, 87:8 (2017),  1275–1278
10. Селективный рост невжигаемых омических контактов к двумерному электронному газу в транзисторах с высокой подвижностью электронов на основе гетеропереходов GaN/AlGaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 40:11 (2014),  80–86