RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Черных Игорь Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Магнетополевая характеризация физических свойств двумерного электронного газа нитридных транзисторных гетероструктур с высокой подвижностью электронов

    Физика и техника полупроводников, 59:2 (2025),  91–96
  2. Магнетосопротивление и симметрия двумерного электронного газа гетероструктур AlGaN/AlN/GaN

    Письма в ЖЭТФ, 119:8 (2024),  598–603
  3. Изучение эффективности теплоотвода композитных подложек “кремний на алмазе” для устройств на основе нитрида галлия

    Письма в ЖТФ, 48:7 (2022),  20–22
  4. Особенности роста гетероструктур нитрида галлия на подложках кремния: управляемая пластическая деформация

    Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  26–29
  5. Подложки с алмазным теплоотводом для эпитаксиального роста GaN

    Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  13–16
  6. Квантовая когерентность и эффект Кондо в двумерном электронном газе магнитно-нелегированных гетероструктур AlGaN/GaN

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  962–967
  7. Мощностные характеристики нитрид-галлиевых СВЧ-транзисторов на подложках кремния

    Письма в ЖТФ, 46:5 (2020),  11–14
  8. Омические контакты к оксиду европия для устройств спинтроники

    Письма в ЖТФ, 45:7 (2019),  38–40
  9. Сверхпроводящий контакт для ВТСП-лент второго поколения

    Письма в ЖТФ, 45:7 (2019),  18–20
  10. Изучение характеристик транзисторов на гетероструктурах нитрида галлия, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира и кремния

    Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  52–54
  11. Туннельный ток во встречных диодах Шоттки, образованных контактами между вырожденным GaN $n$-типа и металлом

    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  630–636
  12. Разработка подхода формирования эпитаксиальных структур YBa$_2$Cu$_3$O$_x$–интерслой–YBa$_2$Cu$_3$O$_x$ с высокой токонесущей способностью

    Письма в ЖТФ, 40:20 (2014),  47–53
  13. Исследование влияния кислородного индекса мишени на критические характеристики эпитаксиальных слоев YBa$_2$Cu$_3$O$_x$, сформированных методом импульсного лазерного осаждения

    Письма в ЖТФ, 40:1 (2014),  58–63
  14. Затравочные слои на подложках RABiTS для ВТСП проводов второго поколения

    Письма в ЖТФ, 38:18 (2012),  53–59
  15. Толстопленочные слоистые композитные структуры цирконат-титанат свинца–феррит никеля-цинка: получение методом сеткотрафаретной печати и магнитоэлектрические свойства

    ЖТФ, 80:3 (2010),  69–76


© МИАН, 2026