Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Boron-doped silicon: a possible way of testing and refining models of non-ionizing energy loss under electron- and proton irradiation
Физика твердого тела, 64:12 (2022), 1915
-
Слои кремния, гиперпересыщенные теллуром, для фотодиодов видимого и инфракрасного диапазонов
ЖТФ, 91:12 (2021), 2026–2037
-
Радиационно-индуцированные бистабильные центры с глубокими уровнями в кремниевых $n^{+}$–$p$-структурах
Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 767–771
-
Образование и отжиг метастабильных комплексов межузельный кислород-межузельный углерод в кремнии $n$- и $p$-типа
Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1492–1498
-
Формирование и отжиг радиационных дефектов в легированных оловом кристаллах германия $p$-типа
Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 629–632
-
Влияние радиационных дефектов на электрические потери в кремниевых диодах, облученных электронами
Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010), 397–401
© , 2026