Котомина Валентина Евгеньевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Резистивное переключение мемристоров на основе эпитаксиальных гетероструктур $p$-Si/$p$-Ge/$n^+$-Si(001) с Ru- и Ag-электродами
   
   Письма в ЖТФ, 49:1 (2023),  5–8
2. Влияние химической обработки и топологии поверхности на блокирующее напряжение GaAs тиристорных мезаструктур, выращенных методом ГФЭ МОС
   
   Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022),  134–138
3. Формирование мелкодисперсного термоэлектрика Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ при электроимпульсном плазменном спекании
   
   ЖТФ, 91:12 (2021),  1975–1983
4. Демонстрация эффекта резистивного переключения отдельных филаментов в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии
   
   Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  23–26
5. Резистивное переключение в мемристорах на основе гетероструктур Ag/Ge/Si
   
   Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  44–46
6. Получение электроимпульсным плазменным спеканием термоэлектрических материалов на основе Si и Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1455–1459
7. Plasmon resonance induced photoconductivity in the yttria stabilized zirconia films with embedded Au nanoclusters
   
   Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  470
8. Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP
   
   Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1443–1446
9. Голографический метод количественного измерения фотолитографических реплик толстых рельефных дефектов поверхности
   
   Письма в ЖТФ, 43:11 (2017),  81–87