Протасов Дмитрий Юрьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Электрохимическое профилирование структур $n^+/n$ GaAs для полевых транзисторов
   
   Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  53–61
2. InSb/GaAs-гетероструктуры для датчиков магнитного поля
   
   Письма в ЖТФ, 49:20 (2023),  27–30
3. Гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs для ключевых pHEMT-транзисторов
   
   Письма в ЖТФ, 48:17 (2022),  20–23
4. Всплеск дрейфовой скорости электронов в обращенных транзисторных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием и дополнительными цифровыми потенциальными барьерами
   
   Письма в ЖТФ, 48:12 (2022),  11–14
5. GaAs/AlGaAs- и InGaAs/AlGaAs-гетероструктуры для мощных полупроводниковых инфракрасных излучателей
   
   ЖТФ, 91:11 (2021),  1727–1731
6. AlInSb/InSb-гетероструктуры для ИК-фотоприемников, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 46:4 (2020),  3–6
7. Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN
   
   Письма в ЖТФ, 45:15 (2019),  21–24
8. Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев
   
   Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  48–56
9. Увеличение насыщенной скорости дрейфа электронов в pHEMT-гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием
   
   Письма в ЖТФ, 44:6 (2018),  77–84
10. Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1696
11. Синтез AlGaN/GaN-гетероструктур для ультрафиолетовых фотоприемников методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    ЖТФ, 85:4 (2015),  67–73
12. Увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в твердых растворах Al$_x$Ga$_{1-x}$N ($x$ = 0–0.1), полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1329–1334
13. Использование маски из хрома для плазмохимического травления слоев Al$_x$Ga$_{1-x}$N
    
    ЖТФ, 84:9 (2014),  96–99
14. Туннельный транспорт через массивы пассивированных нанокристаллов CdS, полученных методом Ленгмюра–Блоджетт
    
    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1237–1242
15. Рассеяние электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN с двумерным электронным газом
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  36–47