Березовская Тамара Нарциссовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Изготовление дифракционных решеток c блеском с переменной плотностью штрихов
   
   ЖТФ, 95:10 (2025),  1861–1869
2. Высокочастотные дифракционные Mo/Be-решетки с малым углом блеска–исследование эффективности
   
   ЖТФ, 94:7 (2024),  1128–1135
3. Высокочастотные многослойные дифракционные Si-решетки с малым углом блеска – изготовление
   
   ЖТФ, 94:7 (2024),  1119–1127
4. Кремниевые решетки с блеском для мягкого рентгеновского и экстремального ультрафиолетового излучения: влияние формы профиля штриха и случайной шероховатости на дифракционную эффективность
   
   ЖТФ, 93:7 (2023),  859–866
5. Оптимизация технологии изготовления дифракционных Si-решеток треугольного профиля для мягкого рентгеновского и экстремального ультрафиолетового излучения
   
   ЖТФ, 92:8 (2022),  1192–1198
6. Изготовление и тестирование в мягком рентгеновском и ЭУФ диапазонах дифракционных решеток с Au- и многослойным Mo/Si-покрытиями и с блеском в высоких порядках
   
   Квантовая электроника, 52:10 (2022),  955–962
7. Дифракционные решетки с блеском, получаемые на пластинах Si – первые результаты
   
   ЖТФ, 91:10 (2021),  1538–1547
8. Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si
   
   Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2289–2293
9. Металл-усиленное фотохимическое травление N- и Ga-полярных эпитаксиальных слоев GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1726–1732
10. Особенности МПЭ ПА синтеза слоев $n^{+}$-GaN на виртуальных подложках GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1212–1217
11. Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1425–1429
12. Влияние параметров нитридизации и начальных ростовых условий на полярность эпитаксиальных слоев GaN, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией с плазменной активацией азота на подложках Si(111)
    
    Письма в ЖТФ, 43:21 (2017),  47–54
13. Прецизионная калибровка уровня легирования кремнием эпитаксиальных слоев арсенида галлия
    
    Письма в ЖТФ, 43:19 (2017),  87–94
14. Влияние конструкции метаморфного буферного слоя на сохраняемость параметров метаморфного транзистора InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов
    
    Письма в ЖТФ, 43:18 (2017),  97–102
15. Метаморфные брэгговские отражатели спектрального диапазона 1440–1600 нм: эпитаксия, формирование и заращивание мезаструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1434–1438