|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Получение и свойства термостойких композиционных материалов на основе пенополиимидов
Письма в ЖТФ, 51:20 (2025), 3–6
-
Cвойства полиимидного пенокомпозита, полученного на основе соли полиамидокислоты и монтмориллонита
Письма в ЖТФ, 50:14 (2024), 37–39
-
Полимеры будущего
Усп. хим., 91:12 (2022), 1–91
-
АСМ исследование морфологии эластомеров на основе полиуретанимидов с различными жесткими и гибкими фрагментами
ЖТФ, 91:10 (2021), 1491–1500
-
Микрофазовое разделение в имидсилоксановом сополимере
Физика твердого тела, 61:7 (2019), 1391–1396
-
Получение высокопроводящих и оптически прозрачных пленок со структурой мультиграфена путем карбонизации полиимидных пленок Ленгмюра–Блоджетт
Письма в ЖТФ, 45:9 (2019), 50–54
-
“Размерный” эффект, обусловленный матричной изоляцией люминесцирующих композитов полифенилхинолинов
Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 494–500
-
Люминесцентно-кинетическая спектроскопия сложных комплексов полифенилхинолинов
Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 981–983
-
Сенсибилизация фотоэффекта в карбазол- и индолокарбазолсодержащих полифенилхинолинах акцепторными молекулами бензотиадиазола
Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1517–1520
-
Сополимеры карбазол- и индолокарбазолсодержащих фенилхинолинов – новые материалы для электролюминесцентных устройств
Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013), 1055–1064
-
Карбазолсодержащие полифенилхинолины как основа оптоэлектронных материалов с белой люминесценцией
Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 512–519
-
Структурное управление величиной и типом проводимости в тонких пленках полифенилхинолинов
Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 507–511
-
Фото- и электрофизические свойства полифенилхинолинов, содержащих фрагменты карбазола или индоло[3,2-b]карбазола – новых материалов для оптоэлектроники
Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011), 1392–1398
-
Фотофизические свойства индоло[3,2-b]карбазолов – перспективного класса материалов для оптоэлектроники
Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010), 1629–1635
© , 2026