Круглов Александр Валерьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние концентрации вакансий кислорода на параметры резистивного переключения в мемристорных структурах на основе ZrO$_2$(Y)
   
   ЖТФ, 95:9 (2025),  1733–1743
2. Мемристоры для энергонезависимой резистивной памяти на основе двухслойного диэлектрика Al$_2$O$_3$/ZrO$_2$(Y)
   
   ЖТФ, 94:11 (2024),  1833–1842
3. Резистивное переключение мемристоров на основе эпитаксиальных гетероструктур $p$-Si/$p$-Ge/$n^+$-Si(001) с Ru- и Ag-электродами
   
   Письма в ЖТФ, 49:1 (2023),  5–8
4. Исследование влияния оптического излучения на резистивное переключение МДП-структур на основе ZrO$_2$(Y) на подложках Si(001) с наноостровками Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  723–727
5. Резистивное переключение в отдельных ферромагнитных филаментах мемристорных структур на основе ZrO$_{2}$(Y)/Ni
   
   ЖТФ, 91:10 (2021),  1474–1478
6. Демонстрация эффекта резистивного переключения отдельных филаментов в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии
   
   Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  23–26
7. Формирование наноразмерных ферромагнитных филаментов Ni в пленках ZrO$_{2}$(Y)
   
   Письма в ЖТФ, 47:11 (2021),  30–32
8. Резистивное переключение в структурах металл–оксид–полупроводник с наноостровками GeSi на подложке кремния
   
   ЖТФ, 90:10 (2020),  1741–1749
9. Резистивное переключение в мемристорах на основе гетероструктур Ag/Ge/Si
   
   Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  44–46
10. Субмонослойные квантовые точки InGaAs/GaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1159–1163
11. Выращивание методом МОС-гидридной эпитаксии субмонослойных квантовых точек InGaAs/GaAs для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов
    
    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  345–350
12. Фотодетекторы на базе гетероструктур Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки
    
    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1411–1414