|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Влияние уровня легирования эмиттерных областей на динамику включения низковольтных GaAs-динисторов
Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025), 48–52
-
Метаморфный InGaAs-фотодиод на длине волны 1.55 мкм, выращенный на подложке GaAs
Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024), 709–713
-
Исследование влияния топологии полосковой мезаструктуры на основные параметры низковольтного GaAs-тиристора
Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024), 156–160
-
InGaAs фотодиод с пониженным темновым током на диапазон 1.17–1.29 мкм с дискретным метаморфным буферным слоем
Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023), 495–500
-
Влияние химической обработки и топологии поверхности на блокирующее напряжение GaAs тиристорных мезаструктур, выращенных методом ГФЭ МОС
Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022), 134–138
-
Методы переключения поляризации излучения в GaAs лазерных диодах
ЖТФ, 91:9 (2021), 1409–1414
-
Влияние состава зародышевого слоя AlGaAs на формирование антифазных доменов в структурах (Al)GaAs, выращенных газофазной эпитаксией на подложках Ge/Si(100)
Письма в ЖТФ, 47:8 (2021), 37–40
-
Лазерный GaAs-диод с волноводными квантовыми ямами InGaAs
Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1718–1720
-
Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs
Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1460–1463
-
Стимулированное излучение на длине волны 1.3 $\mu$m в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001)
Письма в ЖТФ, 44:16 (2018), 67–74
-
Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке
Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1530–1533
-
Оптимизация гетеролазеров InGaP/GaAs/InGaAs с туннельно-связанными волноводами
Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1619–1622
© , 2026