|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Оптимизация физико-механических свойств ультрамелкозернистого сплава Al–Mg–Zr электротехнического назначения
Физика твердого тела, 67:3 (2025), 435–443
-
Влияние отжига на механические, упругие и микропластические свойства алюминиевого сплава АД1 в различных структурных состояниях
Физика твердого тела, 66:6 (2024), 1008–1016
-
Аномальное изменение механических свойств ультрамелкозернистых сплавов Al–Mg–Zr при низких температурах
Физика твердого тела, 66:6 (2024), 933–945
-
Неупорядоченная лазерная генерация в нанокристаллах ZnO, выращенных гидротермальным методом
Физика твердого тела, 66:1 (2024), 17–21
-
Солнечно-слепые фотодиоды Шоттки на основе гетероструктур AlGaN:Si/AlN, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
Письма в ЖТФ, 50:20 (2024), 16–19
-
Влияние структурного состояния на упругие и микропластические свойства алюминиевого сплава AД1
Физика твердого тела, 65:8 (2023), 1383–1387
-
Измерения частотной зависимости скин-эффекта металлических проводов с круглым сечением
ЖТФ, 93:8 (2023), 1188–1192
-
Влияние пассивации поверхности цилиндрических мезаструктур на основе GaAs на их оптические свойства
Оптика и спектроскопия, 131:8 (2023), 1112–1117
-
Эволюция дефектной структуры в процессе длительного нагружения ультрамелкозернистого титана ВТ1-0, полученного при воздействии интенсивной пластической деформации
Физика твердого тела, 64:11 (2022), 1799–1803
-
Моноокись кремния, карбонизированная фторуглеродом, как композитный материал для анодов литий-ионных аккумуляторов
ЖТФ, 91:9 (2021), 1381–1392
-
Замена туннельных переходов в InP на каналы проводимости с кристаллитами GaP
Письма в ЖТФ, 47:22 (2021), 52–54
-
Исследование чувствительности микродискового лазера к изменению показателя преломления окружающей среды
Письма в ЖТФ, 47:19 (2021), 30–33
-
Квантовые точки “ядро–оболочка” Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства
Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 129–137
-
Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов
Физика твердого тела, 61:3 (2019), 433–440
-
Определение толщин и визуализация ионообменных волноводов в стеклах методом растровой электронной микроскопии
ЖТФ, 89:3 (2019), 456–459
-
Фотоанодирование $n$-Si в присутствии перекиси водорода: зависимость от напряжения
Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 119–131
-
Взаимосвязь спектров поглощения пигментов растений и светодиодного освещения с различным спектральным составом
ЖТФ, 88:9 (2018), 1285–1289
-
Влияние перекиси водорода на фотоанодирование $n$-Si в режиме пробоя
Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1614–1624
© , 2026