Аксенов Максим Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Нелинейный коэффициент Холла в пленках трехмерного топологического изолятора
   
   Письма в ЖЭТФ, 120:3 (2024),  208–213
2. Пассивация фтором границы раздела оксид/InAs(001)
   
   Письма в ЖТФ, 49:5 (2023),  6–9
3. Определение концентрации донорной примеси в тонких слоях $i$-InGaAs
   
   Письма в ЖТФ, 48:21 (2022),  40–42
4. Мощные СВЧ-фотодиоды на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs, синтезируемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   ЖТФ, 91:7 (2021),  1158–1163
5. Влияние фтора на плотность состояний на границе раздела анодный оксидный слой/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As
   
   Письма в ЖТФ, 47:10 (2021),  11–14
6. Исследование плотности интерфейсных состояний на границах раздела диэлектрик/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As
   
   Письма в ЖТФ, 46:10 (2020),  10–13
7. Мощные высокоскоростные фотодиоды Шоттки для аналоговых волоконно-оптических линий передачи СВЧ-сигналов
   
   Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  52–54
8. Влияние морфологии поверхности слоев InAlAs на температурные зависимости параметров диодов Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs (001)
   
   Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  59–62
9. Особенности протекания тока в структурах на основе барьера Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs
   
   Письма в ЖТФ, 43:12 (2017),  83–89
10. Влияние фтора на электрофизические свойства границы раздела анодный оксид/InAs(111)A
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  322–326