Валишева Наталья Александровна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Мощные СВЧ-фотодиоды на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs, синтезируемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   ЖТФ, 91:7 (2021),  1158–1163
2. Влияние фтора на плотность состояний на границе раздела анодный оксидный слой/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As
   
   Письма в ЖТФ, 47:10 (2021),  11–14
3. Влияние адсорбции кислорода и фтора на электронную структуру поверхности InSb(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  3–12
4. Исследование плотности интерфейсных состояний на границах раздела диэлектрик/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As
   
   Письма в ЖТФ, 46:10 (2020),  10–13
5. Легкий гибкий солнечный элемент на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaP/GaAs
   
   ЖТФ, 89:7 (2019),  1071–1078
6. Мощные высокоскоростные фотодиоды Шоттки для аналоговых волоконно-оптических линий передачи СВЧ-сигналов
   
   Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  52–54
7. Влияние морфологии поверхности слоев InAlAs на температурные зависимости параметров диодов Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs (001)
   
   Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  59–62
8. Особенности протекания тока в структурах на основе барьера Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs
   
   Письма в ЖТФ, 43:12 (2017),  83–89
9. Использование маски из хрома для плазмохимического травления слоев Al$_x$Ga$_{1-x}$N
   
   ЖТФ, 84:9 (2014),  96–99
10. Влияние фтора на электрофизические свойства границы раздела анодный оксид/InAs(111)A
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  322–326
11. Изучение морфологии и оптических свойств анодных оксидных слоев на InAs(111)A
    
    Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013),  532–537
12. Формирование анодных слоев на InAs(111)A. Исследование химического состава
    
    Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  569–575
13. Изменение электронных свойств поверхности InAs(111)A при адсорбции кислорода и фтора
    
    Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012),  53–59