Чистохин Игорь Борисович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Трехкаскадный InGaP/GaAs/Ge фотоэлектрический преобразователь с утоненной германиевой подложкой
   
   ЖТФ, 94:5 (2024),  783–794
2. Мощные СВЧ-фотодиоды на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs, синтезируемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   ЖТФ, 91:7 (2021),  1158–1163
3. Влияние условий формирования геттера в высокоомном кремнии на характеристики PIN-фотодиодов
   
   Письма в ЖТФ, 46:21 (2020),  11–13
4. Легкий гибкий солнечный элемент на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaP/GaAs
   
   ЖТФ, 89:7 (2019),  1071–1078
5. Мощные высокоскоростные фотодиоды Шоттки для аналоговых волоконно-оптических линий передачи СВЧ-сигналов
   
   Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  52–54
6. Влияние морфологии поверхности слоев InAlAs на температурные зависимости параметров диодов Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs (001)
   
   Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  59–62
7. Метод диффузии цинка в InP через узкий зазор с использованием планарного источника на основе Zn$_{3}$P$_{2}$
   
   Письма в ЖТФ, 44:14 (2018),  19–25
8. Особенности протекания тока в структурах на основе барьера Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs
   
   Письма в ЖТФ, 43:12 (2017),  83–89
9. Фотопроводимость многослойных структур Si/Ge с квантовыми точками Ge, псевдоморфными к Si-матрице
   
   Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  936–940
10. Неустойчивости тока в фотосопротивлении на основе кремния, легированного селеном
    
    Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992),  1529–1535