Контрош Евгений Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Импульсные характеристики однопереходных и трёхпереходных фотопреобразователей лазерного излучения
   
   Оптика и спектроскопия, 133:11 (2025),  1145–1149
2. Генерация СВЧ-импульсов монолитными трехпереходными AlGaAs/GaAs $p$–$i$–$n$ фотопреобразователями и модулями без обратного смещения
   
   Письма в ЖТФ, 51:9 (2025),  27–30
3. Диагностика локальной теплопроводности паяных соединений гетероструктуры InGaP/Ga(In)As/Ge с теплоотводящей AlN-керамикой на основе сплава Sn$_{42}$Bi$_{58}$ методом лазерной фотодефлекционной микроскопии
   
   Письма в ЖТФ, 51:4 (2025),  31–34
4. Монолитный трехпереходный $p$–$i$–$n$ AlGaAs/GaAs фотопреобразователь лазерного излучения
   
   Письма в ЖТФ, 50:22 (2024),  35–38
5. Солнечно-слепые фотодиоды Шоттки на основе гетероструктур AlGaN:Si/AlN, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 50:20 (2024),  16–19
6. Мощный субнаносекундный модуль на основе $p$–$i$–$n$ AlGaAs/GaAs-фотодиодов
   
   Письма в ЖТФ, 50:19 (2024),  5–8
7. Субнаносекундные AlGaAs/GaAs-фотодетекторы с брэгговским отражателем
   
   Письма в ЖТФ, 50:17 (2024),  38–41
8. Туннельные диоды $n^{++}$-GaAs:($\delta$-Si)/$p^{++}$-Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As:(C) для соединительных элементов многопереходных лазерных фотопреобразователей
   
   Письма в ЖТФ, 50:7 (2024),  39–42
9. Исследование деградации параметров субнаносекундного фотоэлектрического модуля при термоциклировании
   
   Письма в ЖТФ, 50:6 (2024),  44–46
10. Исследования радиационной стойкости гетероструктурных кремниевых солнечных элементов
    
    Письма в ЖТФ, 49:16 (2023),  18–21
11. Разработка и исследование макета автономной энергоинформационной станции атмосферной оптической линии связи
    
    Письма в ЖТФ, 49:2 (2023),  21–25
12. Источник электрической энергии на основе Al$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As/GaAs фотоэлектрического преобразователя и YPO$_4$:Eu/($^{238}$Pu)радиолюминесцентного излучателя
    
    ЖТФ, 92:12 (2022),  1875–1880
13. Исследования фотодефлекционным методом теплопроводности и теплового сопротивления слоя спая бессвинцовыми пастами
    
    Письма в ЖТФ, 48:22 (2022),  39–42
14. Архитектура мезы и эффективность InGaP/Ga(In)As/Ge солнечных элементов
    
    ЖТФ, 91:7 (2021),  1067–1074
15. Разработка и исследование туннельных $p$–$i$–$n$-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  285–291
16. Гибридные солнечные элементы с системой концентрации оптического излучения
    
    Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  52–54
17. Влияние структуры омических контактов на характеристики GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей
    
    ЖТФ, 88:8 (2018),  1211–1215
18. Изготовление и исследование коммутирующих $p$–$n$-переходов для каскадных фотопреобразователей
    
    Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  25–31
19. Влияние механизмов токопрохождения на эффективность фотодиодов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 44:22 (2018),  33–41
20. Радиационная стойкость гетеропереходных солнечных элементов $\alpha$-Si : H/Si с тонким внутренним слоем $i$-$\alpha$-Si : H
    
    Письма в ЖТФ, 44:17 (2018),  95–102
21. Исследование процесса отвода тепла на границе полупроводник-керамика в солнечных элементах лазерным термоволновым методом
    
    Письма в ЖТФ, 42:11 (2016),  33–40
22. Туннельные диоды GaAs:Si/GaAs:Be для многопереходных солнечных элементов, выращиваемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 41:18 (2015),  82–88
23. Влияние постростовых технологий на характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/Ga(In)As/Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1249–1253