Пащин Николай Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Фоточувствительность полевого транзистора металл-диэлектрик-полупроводник на основе пленки PbSnTe:In с составом вблизи инверсии зон
   
   Письма в ЖТФ, 49:3 (2023),  22–25
2. МДП транзистор на основе пленки PbSnTe : In с подзатворным диэлектриком Al$_2$O$_3$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  243–249
3. Зависимость топологии эпитаксиальных слоев PbSnTe:In от концентрации In
   
   ЖТФ, 91:6 (2021),  1040–1044
4. Знакопеременная фотопроводимость в пленках PbSnTe : In в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  796–800
5. Модификация поверхностных свойств эпитаксиальных слоев PbSnTe$\langle$In$\rangle$ с составом вблизи инверсии зон
   
   ЖТФ, 89:11 (2019),  1795–1799
6. Связь длинноволновой границы чувствительности пленок PbSnTe:In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с их составом и структурой
   
   Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1574–1578