Акимов Алексей Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Зависимость топологии эпитаксиальных слоев PbSnTe:In от концентрации In
   
   ЖТФ, 91:6 (2021),  1040–1044
2. Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1122–1128
3. Оптические и транспортные свойства эпитаксиальных пленок Pb$_{0.74}$Sn$_{0.26}$Te(In) с модифицируемой поверхностью
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  896–901
4. Знакопеременная фотопроводимость в пленках PbSnTe : In в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  796–800
5. Модификация поверхностных свойств эпитаксиальных слоев PbSnTe$\langle$In$\rangle$ с составом вблизи инверсии зон
   
   ЖТФ, 89:11 (2019),  1795–1799
6. Особенности спектров примесной фотопроводимости эпитаксиальных пленок PbSnTe(In) при изменении температуры
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1303–1308
7. Динамика поверхностной проводимости в пленках PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1207–1211
8. Эффект поля в пленках PbSnTe : In с низкой проводимостью в режиме инжекции из контактов и ограничения тока пространственным зарядом
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1401–1406
9. Связь длинноволновой границы чувствительности пленок PbSnTe:In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с их составом и структурой
   
   Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1574–1578
10. Влияние поверхности на транспортные явления в пленках PbSnTe : In/BaF$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1569–1573
11. Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1713–1719
12. Температурные особенности релаксации фотопроводимости в пленках PbSnTe : In при межзонном возбуждении
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  447–453