Яфаров Равиль Кяшшафович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Низкоэмиссионные углеродные покрытия для управляющих сеток электровакуумных приборов высокой мощности
   
   Письма в ЖТФ, 49:5 (2023),  36–39
2. Вакуумно-плазменные процессы при экстремальной полевой эмиссии в алмазографитовых источниках электронов
   
   Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 21:1 (2021),  69–79
3. Долговременная воспроизводимость эмиссионных характеристик алмазографитовых полевых источников электронов в нестационарных вакуумных условиях эксплуатации
   
   Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  17–19
4. Наноуглеродные композиты для безнакальных магнетронов СВЧ и субтерагерцового диапазонов
   
   Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 20:2 (2020),  134–143
5. Механизм полевой эмиссии электронов с туннельно-тонким алмазным покрытием на автокатоде
   
   Письма в ЖТФ, 46:10 (2020),  42–45
6. Влияние плазмохимической модификации поверхности на поперечный электронный транспорт и вольт-амперные характеристики кремниевых структур металл-диэлектрик-полупроводник
   
   Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 19:1 (2019),  76–82
7. Углеродный пленочный нанокомпозит для сильноточных полевых источников электронов
   
   Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 19:1 (2019),  68–75
8. Импульсные и статические автоэмиссионные ВАХ-углеродных нанокластерных структур: эксперимент и его интерпретация
   
   ЖТФ, 89:8 (2019),  1282–1293
9. Туннельная эмиссия электронов из наноструктурированных кремниевых катодных матриц с фтор-углеродным покрытием
   
   ЖТФ, 89:6 (2019),  952–957
10. Влияние плазмохимической модификации поверхности на электронный транспорт и работу выхода в кремниевых кристаллах
    
    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  18–25
11. Автоэмиссия многоострийных катодных матриц на кремнии $p$-типа в сильных импульсных электрических полях
    
    Письма в ЖТФ, 45:9 (2019),  3–5
12. Автоэмиссионная шахматная структура на основе алмазографитовых кластеров
    
    ЖТФ, 88:2 (2018),  283–293
13. Ионная модификация автоэмиссионных свойств алмазографитовых пленочных структур
    
    ЖТФ, 88:1 (2018),  127–133
14. Влияние высокодозной имплантации углерода на фазовый состав, морфологию и автоэмиссионные свойства кристаллов кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  980–985
15. Использование атомной структуры кристаллов кремния для получения многоострийных полевых источников электронов
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  147–153
16. Влияние дипольной поляризации эмитирующей поверхности на пороги автоэмиссии многоострийных кремниевых катодных матриц
    
    Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  68–74
17. Влияние электронного насыщения таммовских уровней на автоэмиссионные свойства кристаллов кремния
    
    ЖТФ, 87:10 (2017),  1578–1584
18. Поверхностное наноструктурирование в системе углерод–кремний (100) при микроволновой плазменной обработке
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  558–562
19. Влияние поверхностной нейтрализации активной примеси на автоэмиссионные свойства кристаллов кремния $p$-типа
    
    Письма в ЖТФ, 43:24 (2017),  88–95
20. Морфологическая неустойчивость поверхности кристаллов кремния (100) при СВЧ ионно-физическом травлении
    
    Физика твердого тела, 58:2 (2016),  350–353
21. Морфологическая устойчивость атомно-чистой поверхности кристаллов кремния (100) после СВЧ плазмохимической обработки
    
    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  55–59
22. Неравновесная СВЧ-плазма низкого давления в научных исследованиях и разработках микро- и наноэлектроники
    
    Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 15:2 (2015),  18–31
23. Кинетика структурирования субмонослойных углеродных покрытий на кристаллах кремния (100) при СВЧ вакуумно-плазменном осаждении
    
    ЖТФ, 85:6 (2015),  61–68
24. Прекурсорная самоорганизация при СВЧ вакуумно-плазменном осаждении субмонослойных углеродных покрытий на кристаллах кремния (100)
    
    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  329–335
25. Получение и диагностирование планарных сотовых углеродных структур
    
    Письма в ЖТФ, 41:13 (2015),  95–101
26. Влияние режима осаждения в СВЧ-плазме на полевую эмиссию электронов из наноалмазографитовых композитов
    
    Письма в ЖТФ, 41:10 (2015),  57–64
27. Влияние СВЧ плазменной микрообработки на электронные свойства поверхности кристаллов кремния (100)
    
    ЖТФ, 84:3 (2014),  103–107
28. Формирование встроенного потенциала в кристаллах кремния (100) при СВЧ плазменной микрообработке
    
    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  529–534
29. Формирование углеродных субнаноразмерных масковых покрытий на кремнии (100) в СВЧ-плазме низкого давления
    
    Письма в ЖТФ, 40:7 (2014),  8–15
30. Наноморфологические характеристики поверхности кристаллов кремния (100) при СВЧ-плазменной обработке в условиях слабой адсорбции
    
    ЖТФ, 83:4 (2013),  92–98
31. Релаксационная самоорганизация поверхности кристаллов кремния под воздействием СВЧ плазменной микрообработки
    
    Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013),  447–459
32. Особенности структурирования поверхности кристаллов кремния (100) при СВЧ плазменной обработке в различных газовых средах
    
    Письма в ЖТФ, 39:9 (2013),  1–8
33. Особенности наноструктурирования субмонослойных покрытий углерода, осажденных на поверхность монокристаллов кремния в низкотемпературной плазме СВЧ-разряда
    
    ЖТФ, 82:8 (2012),  76–82
34. Структурирование субмонослойных углеродных покрытий, осажденных в СВЧ плазме низкого давления на монокристаллическом кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1542–1548
35. Исследования автоэмиссионного диода с тангенциальным токоотбором из тонкопленочного наноалмазографитового эмиттера
    
    Письма в ЖТФ, 37:11 (2011),  91–98