Улин Николай Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Предельная толщина стенок пор, формирующихся в процессах анодного травления сильнолегированных полупроводников
   
   ЖТФ, 93:2 (2023),  281–285
2. Erratum to: Effect of Conductivity Type and Doping Level of Silicon Crystals on the Size of Formed Pore Channels during Anodic Etching in Hydrofluoric Acid Solutions
   
   ЖТФ, 91:2 (2021),  367
3. Влияние типа проводимости и уровня легирования кристаллов кремния на размеры каналов пор, формирующихся в них при анодном травлении в растворах плавиковой кислоты
   
   ЖТФ, 89:10 (2019),  1575–1584
4. Слабоупорядоченный наноструктурированный бисиликат серебра и его коллоидные растворы: получение и свойства
   
   ЖТФ, 89:6 (2019),  938–947
5. Чувствительность к импульсным электрофизическим воздействиям энергонасыщенных соединений на основе высокодисперсного кремния и нанопористого кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  501–506
6. Анодные процессы в условиях химического и электрохимического травления кристаллов кремния в кислых фторидных растворах. Механизм порообразования
   
   Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  481–496
7. Пористый кремний и его применение в биологии и медицине
   
   ЖТФ, 84:1 (2014),  67–78
8. Поверхность пористого кремния в процессах гидрофилизации и гидролитической деградации
   
   Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1243–1248