Егоркин Владимир Ильич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование характеристик AlGaN/GaN СВЧ-транзисторов с полевыми электродами на подложке кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025),  370–375
2. Полевые $p$-канальные транзисторы на основе GaN/AlN/GaN-гетероструктуры на кремниевой подложке
   
   Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  773–778
3. Особенности температурной стабильности сопротивления омических контактов к наногетероструктурам на основе GaAs и GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1260–1263
4. Исследование ионной имплантации азота через слой нитрида кремния для межприборной изоляции силовых GaN/Si-транзисторов
   
   Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  15–17
5. Исследование влияния атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  748–752
6. Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN
   
   Письма в ЖТФ, 45:15 (2019),  21–24
7. AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов
   
   Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  395–402
8. Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов
   
   Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1599–1604
9. Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе
   
   Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1401–1407
10. Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после $\gamma$-нейтронного облучения
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  331–338
11. Нормально закрытые транзисторы на основе in situ пассивированных гетероструктур AlN/GaN
    
    Письма в ЖТФ, 42:14 (2016),  72–79
12. Cолнечно-слепые Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$-фотодиоды с поляризационно-легированным $p$-эмиттером
    
    Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  57–63