Гребенщикова Елена Александровна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Водородный генератор тока на основе нанопленок палладия
   
   Письма в ЖТФ, 51:11 (2025),  15–17
2. Генерация тока в диодах Шоттки Pd/InP в атмосфере водорода
   
   Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  37–41
3. Кинетика изменения оптической прозрачности нанопленок палладия при взаимодействии с водородом
   
   Оптика и спектроскопия, 131:3 (2023),  419–423
4. Каскад неустойчивостей импеданса структуры Pd-поверхностно-окисленный InP
   
   Письма в ЖТФ, 48:17 (2022),  6–8
5. Влияние водорода на электрические и фотоэлектрические свойства тонкопленочных структур InP/Pd, полученных золь-гель методом
   
   Письма в ЖТФ, 48:10 (2022),  12–15
6. Архитектура мезы и эффективность InGaP/Ga(In)As/Ge солнечных элементов
   
   ЖТФ, 91:7 (2021),  1067–1074
7. Оптические и структурные свойства нанопленок палладия в атмосфере водорода
   
   Оптика и спектроскопия, 129:9 (2021),  1183–1187
8. Генерация тока в структурах Pd/InP в атмосфере водорода
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1236–1239
9. Влияние водорода на оптическую прозрачность слоев палладия
   
   Оптика и спектроскопия, 128:5 (2020),  603–606
10. Фотодиоды для регистрации излучения квантово-размерных дисковых лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.2–2.3 мкм)
    
    Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020),  677–683
11. Влияние водорода на импеданс структур Pd/оксид/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  547–551
12. Влияние водорода на электрические свойства структур Pd/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1427–1430
13. Влияние концентрации водорода на фототок диодов Шоттки Pd/$n$-InP
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  246–248
14. Определение концентрации водорода по фотоэдс МДП структур Pd–оксид–InP
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1183–1186
15. Коллективные моды в сдвоенных полупроводниковых дисковых лазерах на модах шепчущей галереи
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1273–1277
16. Повышение спектральной чувствительности фотодиодов для средней инфракрасной области спектра
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1420–1424
17. Фотоэдс и фототок в структурах Pd–оксид–InP в атмосфере водорода
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  946–951
18. Электрические свойства структур Pd-оксид-InP
    
    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  376–378
19. Синхронизация мод в лазере со связанными дисковыми резонаторами
    
    Письма в ЖТФ, 41:16 (2015),  77–83
20. Электролюминесцентные свойства лазера на модах шепчущей галереи со сдвоенными резонаторами
    
    Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1434–1438
21. Влияние постростовых технологий на характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/Ga(In)As/Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1249–1253
22. Фотоэлектрические и люминесцентные свойства наногетероструктур на основе GaSb с глубокой квантовой ямой Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1037–1042
23. Повышение квантовой чувствительности фотодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP
    
    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  690–695
24. Увеличение мощности излучения светодиодов ($\lambda$ = 1.7–2.4 $\mu$m) за счет изменения направления световых потоков в гетероструктуре GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb
    
    Письма в ЖТФ, 39:4 (2013),  39–45
25. Исследование эффективности вывода излучения из меза-светодиодов на основе узкозонной активной области InAsSb
    
    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  247–251
26. Повышение квантовой эффективности фотодиодов за счет изменения направления световых потоков в гетероструктуре InAs/InAsSb/InAsSbP
    
    Письма в ЖТФ, 38:10 (2012),  43–49
27. Источники излучения в средней инфракрасной области спектра на основе связанных дисковых резонаторов
    
    Письма в ЖТФ, 38:7 (2012),  7–13
28. Изучение пространственных мод полудисковых лазеров на основе квантово-размерных наногетероструктур AlGaAsSb/InGaAsSb
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  365–371
29. Интерференция излучения дисковых лазеров на основе квантово-размерных наногетероструктур AlGaAsSb/InGaAsSb
    
    Письма в ЖТФ, 36:13 (2010),  89–95
30. Быстродействующие $p$–$i$–$n$-фотодиоды для спектрального диапазона 0.9–2.4 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 36:9 (2010),  43–49
31. Перестройка чaстоты генерации лазера работающего на модах шепчущей галереи на основе InAsSb/InAsSbP-гетероструктуры, обусловленная нелинейными оптическими эффектами
    
    Письма в ЖТФ, 36:8 (2010),  7–13
32. Светодиоды с конусной световыводящей поверхностью, излучающие на длине волны 3.6 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 36:3 (2010),  104–110