Шабалдин Александр Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние термической обработки на оптические и электрофизические свойства $\alpha$-GeTe
   
   Физика твердого тела, 67:12 (2025),  2448–2452
2. Термоэлектрические свойства лент Bi–Te–Se полученных методом быстрой закалки
   
   Физика твердого тела, 67:5 (2025),  800–804
3. Исследование поверхности в нанокомпозитных термоэлектриках на основе халькогенидов висмута и сурьмы методами сканирующей туннельной спектроскопии и атомно-силовой микроскопии
   
   Физика твердого тела, 66:11 (2024),  1864–1870
4. Влияние термической предыстории на свойства эффективных термоэлектрических сплавов Ge$_{0.86}$Pb$_{0.1}$Bi$_{0.04}$Te
   
   Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  261–265
5. Теоретическое исследование фононного спектра и теплопроводности решетки в GeTe
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1144–1148
6. Эффективная масса, подвижность носителей заряда и решеточная теплопроводность в нанокомпозитных термоэлектриках на основе халькогенидов висмута и сурьмы
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1124–1127
7. Термоэлектрические свойства нанокомпозитного Bi$_{0.45}$Sb$_{1.55}$Te$_{2.985}$ с микрочастицами SiO$_{2}$
   
   Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  751–755
8. Установка по измерению термоэлектрических свойств ультратонких проволок
   
   Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019),  702–705
9. Температурная зависимость атомной структуры и электрической активности дефектов в термоэлектрике ZnSb, слабо легированном медью
   
   Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1168–1175
10. Оптимальный рабочий диапазон температур и оценка срока службы термоэлектрика ZnSb:0.1 ат% Cu
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1055–1059
11. Термоэлектрические свойства InSb$\langle$Zn$\rangle$ в нанопористом стекле
    
    Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  733–735
12. Примесь олова в термоэлектрике ZnSb: генерация и компенсация носителей заряда
    
    Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  757–766
13. Легирование и дефектообразование в термоэлектрике ZnSb с примесью меди
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1611–1620
14. Термоэлектрическая эффективность интерметаллида ZnSb
    
    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  448–453
15. Резонансные состояния, тяжелые квазичастицы и термоэлектрическая эффективность материалов A$^{\mathrm{IV}}$B$^{\mathrm{VI}}$
    
    Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  889–895
16. Структура и термоэлектрические свойства CrSi$_2$, полученного методом кристаллизации из раствора-расплава в олове
    
    ЖТФ, 80:5 (2010),  157–158
17. Легирование полупроводников A$^{\mathrm{IV}}$B$^{\mathrm{VI}}$ и энергетический спектр дырок с учетом резонансных состояний
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  742–748