Соболев Максим Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследования наноразмерных колончатых гетероструктур Al$_x$Ga$_{1-x}$N/AlN, выращенных на подложках кремния с различными модификациями поверхности
   
   ЖТФ, 94:1 (2024),  138–150
2. Исследование температурной зависимости темновых токов pin-фотодиодов на основе эпитаксиальных гетероструктур In$_{0.83}$Ga$_{0.17}$As/InP с метаморфными буферными слоями
   
   Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024),  358–364
3. Исследование активных областей на основе многопериодных сверхрешеток GaAsN/InAs
   
   Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  1002–1010
4. Изменение электронной структуры поверхности GaN/Si(111) при адсорбции Li
   
   Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  961–965
5. Влияние быстрого термического отжига на распределение атомов азота в GaAsN/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1077–1080
6. Высокоточная характеризация сверхмногопериодных AlGaAs/GaAs-сверхрешеток с помощью рентгеновской рефлектометрии на синхротронном источнике
   
   Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  7–10
7. Глубокая рентгеновская рефлектометрия сверхмногопериодных A3B5-структур с квантовыми ямами, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   ЖТФ, 90:11 (2020),  1906–1912
8. Особенности МПЭ ПА синтеза слоев $n^{+}$-GaN на виртуальных подложках GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1212–1217
9. Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  190–198
10. Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1425–1429
11. Growth of GaN layers on Si(111) substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  524
12. Влияние конструкции метаморфного буферного слоя на сохраняемость параметров метаморфного транзистора InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов
    
    Письма в ЖТФ, 43:18 (2017),  97–102
13. Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  663–667
14. Влияние конструкции переходного слоя In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As на транспортные характеристики метаморфного транзистора с высокой подвижностью электронов
    
    Письма в ЖТФ, 42:6 (2016),  14–19
15. Исследование структур с множественными квантовыми ямами InAs/GaAs методом спектроскопии электроотражения
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1448–1452
16. Молекулярно-пучковая эпитаксия GaP на подложке Si
    
    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  569–572
17. Фотолюминесценция гетероструктур со слоями GaP$_{1-x}$N$_x$ и GaP$_{1-x-y}$N$_x$As$_y$, выращенных на подложках GaP и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  489–493
18. Многопериодные квантово-каскадные наногетероструктуры: эпитаксия и диагностика
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1640–1645
19. Сверхширокий спектр электролюминесценции светодиодных гетероструктур на основе полупроводниковых твердых растворов GaPAsN
    
    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  518–522
20. Молекулярно-пучковая эпитаксия азотосодержащих твердых растворов GaPN, GaPAsN и InGaPN
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  407–411
21. Зависимость параметра гибридизации азотосодержащих твердых растворов GaPN от мольной доли азота
    
    Письма в ЖТФ, 39:24 (2013),  81–87
22. Электролюминесценция наногетероструктур GaP$_x$N$_y$As$_{1-x-y}$ через прозрачный электрод, сформированный из CVD-графена
    
    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  815–819
23. Оптические свойства квантово-размерных гетероструктур на основе твердых растворов GaP$_x$N$_y$As$_{1-x-y}$
    
    Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1209–1213