Пирогов Евгений Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Изготовление дифракционных решеток c блеском с переменной плотностью штрихов
   
   ЖТФ, 95:10 (2025),  1861–1869
2. Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения $\lambda$ = 1064 нм на основе GaInAsP/InP
   
   Физика и техника полупроводников, 59:8 (2025),  447–451
3. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов (Al,Ga)InP$_2$
   
   Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025),  130–135
4. Рост атомарно-гладких слоев AlN на подложках Si(111) с предварительным формированием аморфного слоя Si$_x$N$_y$ методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
   
   Письма в ЖТФ, 51:14 (2025),  39–43
5. Влияние буферного слоя на характеристики слоев GaPN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремния
   
   Письма в ЖТФ, 51:10 (2025),  7–10
6. Высокочастотные дифракционные Mo/Be-решетки с малым углом блеска–исследование эффективности
   
   ЖТФ, 94:7 (2024),  1128–1135
7. Высокочастотные многослойные дифракционные Si-решетки с малым углом блеска – изготовление
   
   ЖТФ, 94:7 (2024),  1119–1127
8. Влияние степени атомного упорядочения на сегнетоэлектрические свойства твердых растворов GaInP$_2$
   
   Оптика и спектроскопия, 132:11 (2024),  1127–1130
9. Исследование температурной зависимости темновых токов pin-фотодиодов на основе эпитаксиальных гетероструктур In$_{0.83}$Ga$_{0.17}$As/InP с метаморфными буферными слоями
   
   Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024),  358–364
10. Кремниевые решетки с блеском для мягкого рентгеновского и экстремального ультрафиолетового излучения: влияние формы профиля штриха и случайной шероховатости на дифракционную эффективность
    
    ЖТФ, 93:7 (2023),  859–866
11. Влияние постростовой обработки плазмой азота на структурные и оптические свойства InGaN
    
    Письма в ЖТФ, 49:5 (2023),  32–35
12. Оптимизация технологии изготовления дифракционных Si-решеток треугольного профиля для мягкого рентгеновского и экстремального ультрафиолетового излучения
    
    ЖТФ, 92:8 (2022),  1192–1198
13. Исследование активных областей на основе многопериодных сверхрешеток GaAsN/InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  1002–1010
14. Изготовление и тестирование в мягком рентгеновском и ЭУФ диапазонах дифракционных решеток с Au- и многослойным Mo/Si-покрытиями и с блеском в высоких порядках
    
    Квантовая электроника, 52:10 (2022),  955–962
15. Дифракционные решетки с блеском, получаемые на пластинах Si – первые результаты
    
    ЖТФ, 91:10 (2021),  1538–1547
16. Влияние быстрого термического отжига на распределение атомов азота в GaAsN/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1077–1080
17. Высокоточная характеризация сверхмногопериодных AlGaAs/GaAs-сверхрешеток с помощью рентгеновской рефлектометрии на синхротронном источнике
    
    Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  7–10
18. Глубокая рентгеновская рефлектометрия сверхмногопериодных A3B5-структур с квантовыми ямами, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    ЖТФ, 90:11 (2020),  1906–1912
19. Влияние конструкции метаморфного буферного слоя на сохраняемость параметров метаморфного транзистора InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов
    
    Письма в ЖТФ, 43:18 (2017),  97–102
20. Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  663–667
21. Влияние конструкции переходного слоя In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As на транспортные характеристики метаморфного транзистора с высокой подвижностью электронов
    
    Письма в ЖТФ, 42:6 (2016),  14–19
22. Молекулярно-пучковая эпитаксия GaP на подложке Si
    
    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  569–572
23. Фотолюминесценция гетероструктур со слоями GaP$_{1-x}$N$_x$ и GaP$_{1-x-y}$N$_x$As$_y$, выращенных на подложках GaP и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  489–493
24. Многопериодные квантово-каскадные наногетероструктуры: эпитаксия и диагностика
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1640–1645
25. Сверхширокий спектр электролюминесценции светодиодных гетероструктур на основе полупроводниковых твердых растворов GaPAsN
    
    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  518–522
26. Молекулярно-пучковая эпитаксия азотосодержащих твердых растворов GaPN, GaPAsN и InGaPN
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  407–411
27. Зависимость параметра гибридизации азотосодержащих твердых растворов GaPN от мольной доли азота
    
    Письма в ЖТФ, 39:24 (2013),  81–87
28. Двухканальные псевдоморфные HEMT-гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с импульсным легированием
    
    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  950–954
29. Исследование дефектов в гетероструктурах с квантовыми ямами GaPAsN и GaPN в матрице GaP
    
    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  923–927
30. Оптические свойства четверных полупроводниковых твердых растворов GaN$_x$As$_y$P$_{1-x-y}$
    
    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  886–890