Никитина Екатерина Викторовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Однофотонное излучение в С-диапазоне в цилиндрическом микрорезонаторе с квантовыми точками InAs/InGaAs
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:3 (2025),  189–193
2. Влияние буферного слоя на характеристики слоев GaPN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремния
   
   Письма в ЖТФ, 51:10 (2025),  7–10
3. Анализ процесса диффузии Zn из газовой фазы в материалах InGaAs/InP
   
   Письма в ЖТФ, 50:22 (2024),  48–52
4. Свойства гетероструктур AlP/Si, сформированных методом комбинированного плазмохимического и атомно-слоевого осаждения
   
   Письма в ЖТФ, 50:16 (2024),  3–6
5. Рост тонкопленочных AlGaN/GaN эпитаксиальных гетероструктур на гибридных подложках, содержащих слои карбида кремния и пористого кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  547–552
6. Влияние быстрого термического отжига на распределение атомов азота в GaAsN/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1077–1080
7. Высокоточная характеризация сверхмногопериодных AlGaAs/GaAs-сверхрешеток с помощью рентгеновской рефлектометрии на синхротронном источнике
   
   Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  7–10
8. Коррекция характеристик кремниевых фотодиодов путем применения ионной имплантации
   
   Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  557–563
9. Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/$por$-Si/Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  346–354
10. Металл-усиленное фотохимическое травление N- и Ga-полярных эпитаксиальных слоев GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1726–1732
11. Особенности МПЭ ПА синтеза слоев $n^{+}$-GaN на виртуальных подложках GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1212–1217
12. Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  190–198
13. Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки
    
    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  70–76
14. Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1425–1429
15. Исследование спонтанной эмиссии в брэгговских монослойных квантовых ямах InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  736–740
16. Growth of GaN layers on Si(111) substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  524
17. Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4$^\circ$
    
    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  276–280
18. Влияние параметров нитридизации и начальных ростовых условий на полярность эпитаксиальных слоев GaN, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией с плазменной активацией азота на подложках Si(111)
    
    Письма в ЖТФ, 43:21 (2017),  47–54
19. Влияние конструкции метаморфного буферного слоя на сохраняемость параметров метаморфного транзистора InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов
    
    Письма в ЖТФ, 43:18 (2017),  97–102
20. Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика твердого тела, 58:10 (2016),  1886–1889
21. Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 5.8 мкм при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1320–1324
22. Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  663–667
23. Лазерная генерация вертикальных микрорезонаторов с массивами квантовых точек InAs/InGaAs на длине волны 1.3 $\mu$m при оптической накачке
    
    Письма в ЖТФ, 42:19 (2016),  70–79
24. Влияние конструкции переходного слоя In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As на транспортные характеристики метаморфного транзистора с высокой подвижностью электронов
    
    Письма в ЖТФ, 42:6 (2016),  14–19
25. Генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров в спектральном диапазоне 5.6–5.8 мкм при токовой накачке
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1574–1577
26. Исследование структур с множественными квантовыми ямами InAs/GaAs методом спектроскопии электроотражения
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1448–1452
27. Молекулярно-пучковая эпитаксия GaP на подложке Si
    
    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  569–572
28. Исследование солнечных элементов на основе слоев GaPNAs методом спектроскопии полной проводимости
    
    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  534–538
29. Фотолюминесценция гетероструктур со слоями GaP$_{1-x}$N$_x$ и GaP$_{1-x-y}$N$_x$As$_y$, выращенных на подложках GaP и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  489–493
30. Управление морфологией AlN при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на подложках Si(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  283–286
31. Влияние времени жизни фотонов в оптическом микрорезонаторе на характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с легированными распределенными брэгговскими отражателями и оксидной токовой апертурой
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1697–1703
32. Многопериодные квантово-каскадные наногетероструктуры: эпитаксия и диагностика
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1640–1645
33. Оценка качества эпитаксиальных слоев GaAs и их интерфейсов посредством анализа спектров экситонного поглощения
    
    Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  774–780
34. Сверхширокий спектр электролюминесценции светодиодных гетероструктур на основе полупроводниковых твердых растворов GaPAsN
    
    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  518–522
35. Молекулярно-пучковая эпитаксия азотосодержащих твердых растворов GaPN, GaPAsN и InGaPN
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  407–411
36. Разработка конструкции многопереходных солнечных элементов на основе гетероструктур GaPNAs/Si методом компьютерного моделирования
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  396–401
37. Фотоэлектрические свойства солнечных элементов на основе гетероструктур GaPNAs/GaP
    
    Письма в ЖТФ, 39:24 (2013),  88–94
38. Зависимость параметра гибридизации азотосодержащих твердых растворов GaPN от мольной доли азота
    
    Письма в ЖТФ, 39:24 (2013),  81–87
39. Резонансное отражение света периодической системой экситонов в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1039–1042
40. Электролюминесценция наногетероструктур GaP$_x$N$_y$As$_{1-x-y}$ через прозрачный электрод, сформированный из CVD-графена
    
    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  815–819
41. Матрицы вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 960 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  836–839
42. Двухканальные псевдоморфные HEMT-гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с импульсным легированием
    
    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  950–954