Шубина Ксения Юрьевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Изготовление дифракционных решеток c блеском с переменной плотностью штрихов
   
   ЖТФ, 95:10 (2025),  1861–1869
2. Высокочастотные дифракционные Mo/Be-решетки с малым углом блеска–исследование эффективности
   
   ЖТФ, 94:7 (2024),  1128–1135
3. Высокочастотные многослойные дифракционные Si-решетки с малым углом блеска – изготовление
   
   ЖТФ, 94:7 (2024),  1119–1127
4. Исследования наноразмерных колончатых гетероструктур Al$_x$Ga$_{1-x}$N/AlN, выращенных на подложках кремния с различными модификациями поверхности
   
   ЖТФ, 94:1 (2024),  138–150
5. Кремниевые решетки с блеском для мягкого рентгеновского и экстремального ультрафиолетового излучения: влияние формы профиля штриха и случайной шероховатости на дифракционную эффективность
   
   ЖТФ, 93:7 (2023),  859–866
6. Оптимизация технологии изготовления дифракционных Si-решеток треугольного профиля для мягкого рентгеновского и экстремального ультрафиолетового излучения
   
   ЖТФ, 92:8 (2022),  1192–1198
7. Изготовление и тестирование в мягком рентгеновском и ЭУФ диапазонах дифракционных решеток с Au- и многослойным Mo/Si-покрытиями и с блеском в высоких порядках
   
   Квантовая электроника, 52:10 (2022),  955–962
8. Дифракционные решетки с блеском, получаемые на пластинах Si – первые результаты
   
   ЖТФ, 91:10 (2021),  1538–1547
9. Влияние быстрого термического отжига на распределение атомов азота в GaAsN/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1077–1080
10. Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  833–840
11. Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2289–2293
12. Металл-усиленное фотохимическое травление N- и Ga-полярных эпитаксиальных слоев GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1726–1732
13. Особенности МПЭ ПА синтеза слоев $n^{+}$-GaN на виртуальных подложках GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1212–1217
14. Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1425–1429
15. Влияние параметров нитридизации и начальных ростовых условий на полярность эпитаксиальных слоев GaN, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией с плазменной активацией азота на подложках Si(111)
    
    Письма в ЖТФ, 43:21 (2017),  47–54