Умирзаков Балтоходжа Ерматович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности фотоэлектронных спектров Ge, имплантированного ионами Na$^+$
   
   Письма в ЖТФ, 49:1 (2023),  27–30
2. Влияние осаждения атомов Ba и имплантации ионов Ba$^+$ на электронную структуру монокристаллического Ge
   
   ЖТФ, 92:4 (2022),  638–642
3. Состав и электронная структура скрытых наноразмерных фаз и слоев BaSi$_2$, созданных в приповерхностной области Si
   
   Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  491–494
4. Влияние предварительной ионной бомбардировки на формирование нанопленок Co и CoSi$_2$ на поверхности Si при твердофазном осаждении
   
   Письма в ЖТФ, 48:5 (2022),  27–29
5. Псевдощель, нанокристаллы и электропроводность легированного силикатного стекла
   
   ЖТФ, 91:2 (2021),  281–286
6. Состав и морфология поверхности Si(111) с поверхностной пленкой SiO$_{2}$ разной толщины
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1045–1048
7. Изучение критического угла каналирования ионов активных металлов через тонкие пленки алюминия
   
   Письма в ЖТФ, 47:23 (2021),  12–14
8. Влияние адсорбции атомов Ba на состав, эмиссионные и оптические свойства монокристаллов CdS
   
   Письма в ЖТФ, 47:12 (2021),  3–5
9. Влияние поэтапного постимплантационного отжига на состав и структуру поверхностных слоев кремния, имплантированного ионами щелочных металлов
   
   Письма в ЖТФ, 47:1 (2021),  15–19
10. Влияние имплантации ионов Ba$^{+}$ на состав и электронные свойства пленок MoO$_{3}$/Mo (111)
    
    ЖТФ, 90:5 (2020),  831–834
11. Модификация свойств поверхности свободных пленок Si–Cu имплантацией ионов активных металлов
    
    ЖТФ, 90:1 (2020),  123–127
12. Влияние разупорядочения тонких поверхностных слоев на электронные и оптические свойства Si (111)
    
    Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020),  1211–1216
13. Влияние имплантации ионов Al$^{+}$ на состав, электронную и кристаллическую структуру поверхности GaP(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  716–719
14. Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны наноразмерных фаз Si, созданных на различных глубинах приповерхностной области SiO$_{2}$
    
    Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  32–34
15. Эмиссионные свойства сплава Pb–Ba, активированного лазерным облучением
    
    ЖТФ, 89:10 (2019),  1626–1629
16. Исследование изменения кристаллической структуры поверхности Si(111) при ионной бомбардировке и последующего отжига
    
    ЖТФ, 89:10 (2019),  1611–1614
17. Электронные и оптические свойства тонких пленок GaAlAs/GaAs
    
    ЖТФ, 89:10 (2019),  1589–1591
18. Глубина выхода вторичных и фотоэлектронов из пленок CdTe с пленкой Ba
    
    ЖТФ, 89:7 (2019),  1115–1117
19. Формирование наноразмерных пленок SiO$_{2}$ на поверхности свободной пленочной системы Si/Cu при имплантации ионов O$_{2}^{+}$
    
    ЖТФ, 89:6 (2019),  935–937
20. Электронные и оптические свойства нанопленок NiSi$_{2}$/Si
    
    ЖТФ, 89:5 (2019),  759–761
21. Морфология и электронные свойства наноразмерных структур Si, созданных на поверхности CaF$_{2}$
    
    ЖТФ, 89:2 (2019),  264–267
22. Влияние образования силицидов на удельное сопротивление кремния
    
    Письма в ЖТФ, 45:7 (2019),  49–51
23. Структура и свойства двухслойной наноразмерной системы CoSi$_{2}$/Si/CoSi$_{2}$/Si, полученной ионной имплантацией
    
    ЖТФ, 88:12 (2018),  1859–1862
24. Состав и структура наноразмерных слоев Ga$_{1-x}$Na$_{x}$As, созданных в приповерхностной области GaAs имплантацией ионов Na$^{+}$
    
    ЖТФ, 87:12 (2017),  1884–1886
25. Прохождение электромагнитных излучений через тонкие пленки Cu
    
    ЖТФ, 86:6 (2016),  156–158
26. Состав морфология и электронная структура наноразмерных фаз, созданных на поверхности SiO$_{2}$ бомбардировкой ионами Ar$^{+}$
    
    ЖТФ, 86:4 (2016),  148–150
27. Влияние имплантации ионов активных металлов на элементный и химический составы поверхности CdTe
    
    ЖТФ, 85:12 (2015),  146–149
28. Электронная структура наноразмерных структур Ga$_{1-x}$Al$_x$As, созданных на поверхности GaAs методом ионной имплантации
    
    ЖТФ, 85:10 (2015),  148–151
29. Изучение профилей распределения атомов по глубине свободных нанопленочных систем типа Si–Me
    
    ЖТФ, 85:4 (2015),  123–125
30. Исследование структуры и свойств гетероструктурных нанопленок, созданных методами эпитаксии и ионной имплантации
    
    ЖТФ, 83:9 (2013),  146–149
31. Электронная спектроскопия наноструктур, созданных в поверхностных слоях Si, GaAs и CaF$_2$ методом низкоэнергетической ионной имплантации
    
    ЖТФ, 83:6 (2013),  66–70
32. Оптимальные режимы ионной имплантации и отжига для стимулирования вторичной отрицательной ионной эмиссии
    
    ЖТФ, 81:4 (2011),  117–120