Виниченко Александр Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние стехиометрии теллура и цинка на эллипсометрические спектры ZnTe/GaAs (100)
   
   Оптика и спектроскопия, 133:3 (2025),  274–280
2. Влияние температуры роста на структурное совершенство пленок CdTe(111), синтезированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs(100)
   
   Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025),  141–149
3. Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  989–994
4. Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур $\{$LT-GaAs/GaAs:Si$\}$
   
   Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020),  1004–1011
5. Электронный квантовый транспорт в псевдоморфных и метаморфных квантовых ямах на основе In$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As
   
   Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  359–364
6. Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1447–1454
7. Transport in short-period GaAs/AlAs superlattices with electric domains
   
   Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  472
8. Электронный транспорт в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs РНЕМТ при различных температурах: влияние одностороннего дельта-легирования Si
   
   Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  201–206
9. Эффективная масса и время релаксации импульса электронов в односторонне $\delta$-легированных PHEMT квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs с высокой электронной плотностью
   
   Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  120–127
10. Особенности ионизации доноров кремния и рассеяние электронов в псевдоморфных квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs при сильном одностороннем $\delta$-легировании
    
    Письма в ЖТФ, 44:4 (2018),  34–41
11. Влияние режима отжига на свойства терагерцевой фотопроводящей антенны на основе LT-GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 44:2 (2018),  11–17
12. Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP
    
    Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  792–797
13. Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах $n$-InGaAs/InAlAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1669–1674
14. Особенности диагностики метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме $\omega$-сканирования
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  567–573
15. Фотолюминесценция массивов квантовых колец GaAs/AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  652–657
16. Увеличение подвижности электронов в НЕМТ гетероструктурах с составным спейсером, содержащим нанослои AlAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1660–1665
17. Технология и электронные свойства PHEMT-квантовых ям AlGaAs/In$_{y(z)}$Ga$_{1-y(z)}$As/GaAs с переменным профилем состава
    
    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1258–1264