Зайцев Алексей Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование характеристик AlGaN/GaN СВЧ-транзисторов с полевыми электродами на подложке кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025),  370–375
2. Квантово-каскадный лазер с частотой генерации 3.8 THz, выращенный методом металлоорганической газофазной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 48:10 (2022),  16–19
3. Особенности температурной стабильности сопротивления омических контактов к наногетероструктурам на основе GaAs и GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1260–1263
4. Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  989–994
5. Исследование ионной имплантации азота через слой нитрида кремния для межприборной изоляции силовых GaN/Si-транзисторов
   
   Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  15–17
6. Исследование морфологии поверхности, электрофизических характеристик и спектров фотолюминесценции эпитаксиальных плёнок GaAs на подложках GaAs (110)
   
   Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020),  877–884
7. Si-легированные эпитаксиальные пленки на подложках GaAs(110): морфология поверхности, электрофизические характеристики, спектры фотолюминесценции
   
   Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020),  1203–1210
8. Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN
   
   Письма в ЖТФ, 45:15 (2019),  21–24
9. Температурная зависимость порогового тока и выходной мощности квантово-каскадного лазера с частотой генерации 3.3 ТГц
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1268–1273
10. Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  540–546