Байдусь Николай Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Термоэлектрические свойства квантовых точек InGaAs/GaAs
   
   ЖТФ, 96:1 (2026),  149–160
2. Влияние уровня легирования эмиттерных областей на динамику включения низковольтных GaAs-динисторов
   
   Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  48–52
3. Магнитоуправляемый спиновый светоизлучающий диод
   
   УФН, 195:5 (2025),  543–556
4. Модификация функциональных характеристик спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/Al$_2$O$_3$/CoPt
   
   Физика твердого тела, 66:2 (2024),  184–189
5. Метаморфный InGaAs-фотодиод на длине волны 1.55 мкм, выращенный на подложке GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024),  709–713
6. Исследование влияния топологии полосковой мезаструктуры на основные параметры низковольтного GaAs-тиристора
   
   Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  156–160
7. InGaAs фотодиод с пониженным темновым током на диапазон 1.17–1.29 мкм с дискретным метаморфным буферным слоем
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  495–500
8. Проектирование дизайна туннельно-связанных квантовых ям для создания модулятора по схеме Маха–Цендера
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  833–838
9. Влияние химической обработки и топологии поверхности на блокирующее напряжение GaAs тиристорных мезаструктур, выращенных методом ГФЭ МОС
   
   Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022),  134–138
10. Диссипативное туннелирование электронов в вертикально связанных двойных асимметричных квантовых точках InAs/GaAs(001)
    
    ЖТФ, 91:10 (2021),  1431–1440
11. Сравнение гетероструктур А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$, выращенных на платформах Ge/Si, Ge/SOI и GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  978–988
12. Влияние состава зародышевого слоя AlGaAs на формирование антифазных доменов в структурах (Al)GaAs, выращенных газофазной эпитаксией на подложках Ge/Si(100)
    
    Письма в ЖТФ, 47:8 (2021),  37–40
13. Лазерный GaAs-диод с волноводными квантовыми ямами InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1718–1720
14. Исследования поперечного среза и фотолюминесценции слоя GaAs, выращенного на подложке Si/Al$_{2}$O$_{3}$
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1271–1274
15. Субмонослойные квантовые точки InGaAs/GaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1159–1163
16. Выращивание методом МОС-гидридной эпитаксии субмонослойных квантовых точек InGaAs/GaAs для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов
    
    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  345–350
17. Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1443–1446
18. Стимулированное излучение на длине волны 1.3 $\mu$m в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001)
    
    Письма в ЖТФ, 44:16 (2018),  67–74
19. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1579–1582
20. Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1530–1533
21. Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1443–1446
22. Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  695–698
23. Влияние “объема” активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  75–78
24. Наногетероструктуры с улучшенными параметрами для быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1576–1582
25. Метод уменьшения ширины диаграммы направленности InGaAs/GaAs/AlGaAs многоямного гетеролазера
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1509–1512
26. Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1455–1458
27. Диагностика эффективности возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов квантовыми точками с помощью поляризационных измерений выходного излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015),  804–809
28. Особенности излучательных характеристик гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами и точками, облученных нейтронами
    
    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  370–375
29. Обменное усиление $g$-фактора электронов в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  196–203
30. Влияние пространственного расположения $\delta$-слоя Si на оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  145–148
31. Структурные, оптические и токовые исследования сверхрешеток со сложной элементарной ячейкой на основе AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  122–127
32. Влияние технологических параметров роста на характеристики двойных туннельно-связанных ям InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  58–62
33. Моделирование эффективного профиля концентрации в гетероструктурах InGaAs/GaAs с $\delta$-легированными слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  53–57
34. Исследование деформационных полей, возникающих при изовалентном легировании GaAs фосфором и индием
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  3–5
35. Дальнее инфракрасное излучение из гетероструктур $n$-InGaAs/GaAs c квантовыми ямами в сильных латеральных электрических полях в условиях инжекции
    
    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  643–647
36. Спиновое расщепление Рашбы и циклотронный резонанс в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP с двумерным электронным газом
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1497–1503
37. Долговременная релаксация фотопроводимости в гетероструктурах $n$-InGaAs/GaAs со связанными квантовыми ямами при межзонном возбуждении
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1609–1612
38. Гетероструктуры со сверхрешетками GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии: особенности роста, оптические и транспортные характеристики
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1593–1596
39. Адмиттанс кольцевых диодных структур с квантовыми ямами InGaAs/InAlAs/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1561–1565
40. Определение концентрации и подвижности электронов в окрестности квантовой ямы и $\delta$-слоя Si в гетероструктурах InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1532–1536
41. Туннельно-связанные квантовые ямы InGaAs/GaAs: структура, состав и энергетический спектр
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1510–1514
42. Транспортные свойства гетероструктур InGaAs/GaAs с $\delta$-легированными квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012),  649–654
43. Латеральный транспорт и дальнее инфракрасное излучение электронов в гетероструктурах In$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs с двойными туннельно-связанными квантовыми ямами в сильном электрическом поле
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1543–1546
44. Электронное состояние поверхности InP, модифицированной обработкой в парах серы
    
    Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1983–1985
45. Фотоэлектронные явления в слоях GaAs с встроенной на поверхности квантовой гетероямой
    
    Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1886–1893
46. Влияние сульфидирования на состояние поверхности и фотоэлектрические свойства InP и GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992),  1383–1389