Павлов Дмитрий Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Сравнение гетероструктур А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$, выращенных на платформах Ge/Si, Ge/SOI и GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  978–988
2. Электрофизические характеристики многослойных мемристивных наноструктур на основе стабилизированного иттрием диоксида циркония и оксида тантала
   
   ЖТФ, 90:2 (2020),  298–304
3. Наращивание слоя Ge на структуру Si/SiO$_{2}$/Si (100) методом “горячей проволоки”
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1129–1133
4. Циркулярно поляризованная электролюминесценция спиновых светодиодов c ферромагнитным инжектором (In,Fe)Sb
   
   Письма в ЖТФ, 46:14 (2020),  17–20
5. Исследования поперечного среза и фотолюминесценции слоя GaAs, выращенного на подложке Si/Al$_{2}$O$_{3}$
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1271–1274
6. Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1233–1236
7. Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 45:13 (2019),  33–36
8. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота
   
   Физика твердого тела, 60:3 (2018),  591–595
9. Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1421–1424
10. Влияние примеси бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si$^{+}$
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  702–707
11. Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2200–2202
12. Влияние температуры осаждения и отжига на люминесценцию германиевых нанокристаллов, сформированных в пленках GeO$_{x}$ и многослойных структурах Ge/SiO$_{2}$
    
    Физика твердого тела, 59:5 (2017),  965–971
13. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1579–1582
14. Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1468–1472
15. Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1447–1450
16. Формирование гексагональной фазы кремния 9$R$ при ионной имплантации
    
    Письма в ЖТФ, 43:16 (2017),  87–92
17. Кристаллическая структура и термоэлектрические свойства тонких слоев MnSi$_{x}$
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1473–1478
18. Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1463–1468
19. Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  274–278
20. Формирование плотных массивов наночастиц золота в тонких пленках стабилизированного диоксида циркония методом магнетронного распыления
    
    Письма в ЖТФ, 42:1 (2016),  72–79
21. Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных слоев Ge/Si(001), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1463–1468
22. Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках “напряженный кремний-на-изоляторе” с тонким слоем окисла
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1129–1135
23. Исследование кристаллической структуры наноостровков кремния на сапфире
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  160–162
24. Структурные, оптические и токовые исследования сверхрешеток со сложной элементарной ячейкой на основе AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  122–127
25. Эпитаксиальный рост гексагональных политипов кремния на сапфире
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  98–101
26. Влияние технологических параметров роста на характеристики двойных туннельно-связанных ям InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  58–62
27. Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  11–14
28. Исследование деформационных полей, возникающих при изовалентном легировании GaAs фосфором и индием
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  3–5
29. Формирование нанокристаллов Au$_4$Zr в стабилизированном диоксиде циркония в процессе имплантации ионов золота
    
    Письма в ЖТФ, 41:11 (2015),  62–70
30. Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией
    
    Физика твердого тела, 56:10 (2014),  2062–2065
31. Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb
    
    Физика твердого тела, 56:3 (2014),  607–610
32. Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si$^+$
    
    Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  212–216
33. Эволюция структурно-морфологических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiO$_x$/ZrO$_2$, содержащей нанокластеры кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  44–48
34. Конденсаторы с нелинейными характеристиками на основе стабилизированного диоксида циркония с встроенными наночастицами золота
    
    Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  9–16
35. Влияние режимов ионного синтеза и ионного легирования на эффект сенсибилизации излучения эрбиевых центров нанокластерами кремния в пленках диоксида кремния
    
    Физика твердого тела, 55:11 (2013),  2243–2249
36. Модель роста наноостровков кремния на сапфире
    
    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1621–1623
37. Анализ закономерностей роста при гетероэпитаксии кремния на сапфире
    
    Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  854–858
38. Термическая эволюция морфологии, структуры и оптических свойств многослойных нанопериодических систем, полученных путем вакуумного испарения SiO и SiO$_2$
    
    Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013),  460–465
39. Туннельно-связанные квантовые ямы InGaAs/GaAs: структура, состав и энергетический спектр
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1510–1514
40. Особенности формирования нанокристаллов золота в стабилизированном диоксиде циркония методом ионной имплантации
    
    Письма в ЖТФ, 38:4 (2012),  60–65
41. Формирование нанокристаллического кремния на сапфире методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 36:12 (2010),  16–22