|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Рост атомарно-гладких слоев AlN на подложках Si(111) с предварительным формированием аморфного слоя Si$_x$N$_y$ методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
Письма в ЖТФ, 51:14 (2025), 39–43
-
Проявление упорядоченной генерации в разупорядоченной среде вискеров ZnO
Физика твердого тела, 66:7 (2024), 1180–1184
-
Неупорядоченная лазерная генерация в нанокристаллах ZnO, выращенных гидротермальным методом
Физика твердого тела, 66:1 (2024), 17–21
-
Взаимодействие молекул NH$_3$ и HCl с поверхностью нитевидных нанокристаллов кремния: DFT-моделирование и эксперимент
Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024), 533–536
-
Точная модель самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов Ga(As, P)
Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 969–972
-
Особенности магнетронного напыления тонких пленок оксида никеля для применения в составе перовскитных солнечных элементов
ЖТФ, 89:3 (2019), 460–464
-
Core-shell III-nitride nanowire heterostructure: negative differential resistance and device application potential
Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 475
-
Численное моделирование характеристик солнечных элементов на основе GaPNAs/Si гетероструктур и GaN нитевидных нанокристаллов
Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1543–1547
-
Моделирование характеристик двухпереходных солнечных элементов на основе гетероструктур ZnSiP$_2$ на кремниевой подложке
Письма в ЖТФ, 41:23 (2015), 15–23
-
Моделирование роста и формы нитевидных нанокристаллов в отсутствие катализатора
Письма в ЖТФ, 40:9 (2014), 55–63
-
Радиальный рост и форма полупроводниковых нитевидных нанокристаллов
Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013), 53–59
-
Моделирование формирования InAs квантовых точек на боковой поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов
Письма в ЖТФ, 39:23 (2013), 39–50
-
Расчет функции распределения GaAs полупроводниковых наноигл по размерам
Письма в ЖТФ, 38:8 (2012), 10–16
-
О поверхностных энергиях и модах каталитического роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов
Письма в ЖТФ, 38:7 (2012), 21–30
© , 2026