Штром Игорь Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние дизайна буферного слоя на фотолюминесценцию InAs квантовых точек, выращенных на подложках GaAs/Si(100)
   
   Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  16–21
2. Рост колончатых микрокристаллов GaN комбинированным PA-MBE/HVPE методом
   
   Физика твердого тела, 67:6 (2025),  934–939
3. Перенос возбуждения через широкий барьер в системе квантовых ям GaAs/AlGaAs различной ширины
   
   Физика твердого тела, 67:1 (2025),  28–30
4. Исследование температурной зависимости вклада экситонов и свободных носителей в люминесценцию гетероструктуры CdTe/CdMgTe
   
   Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  379–382
5. Управление направлением роста планарных нитевидных нанокристаллов
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  195–198
6. Проявление упорядоченной генерации в разупорядоченной среде вискеров ZnO
   
   Физика твердого тела, 66:7 (2024),  1180–1184
7. Неупорядоченная лазерная генерация в нанокристаллах ZnO, выращенных гидротермальным методом
   
   Физика твердого тела, 66:1 (2024),  17–21
8. Излучение света одиночной широкой квантовой ямой CdTe в условиях сильного оптического возбуждения
   
   Физика твердого тела, 65:11 (2023),  2020–2023
9. Оптические свойства гетероструктуры CdTe/CdMgTe, легированной различными способами
   
   Физика твердого тела, 65:2 (2023),  325–327
10. Фотолюминесценция гетероструктур CdTe/CdMnTe и CdTe/CdMgTe с квантовыми ямами, разделенными широкими барьерами
    
    Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  555–558
11. Кинетика самопроизвольного формирования структуры ядро-оболочка в нитевидных нанокристаллах (In,Ga)As
    
    Письма в ЖТФ, 48:3 (2022),  32–35
12. Точная модель самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов Ga(As, P)
    
    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  969–972
13. Нелинейное просветление InAs нитевидных нанокристаллов в видимом диапазоне
    
    Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020),  128–133
14. Фотодинамика люминесценции гибридных наноструктур InP/InAsP/InP ННК, пассивированных слоем ТОРО-CdSe/ZnS КТ
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  952–957
15. MBE-grown In$_x$ Ga$_{1-x}$ As nanowires with 50% composition
    
    Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  542
16. Кинетика роста планарных нитевидных нанокристаллов
    
    Письма в ЖТФ, 46:20 (2020),  15–18
17. Свободная энергия образования зародыша при росте III–V нитевидного нанокристалла
    
    Письма в ЖТФ, 46:18 (2020),  3–6
18. Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  37–40
19. Рост нанотрубок и нитевидных нанокристаллов GaN с катализатором Au–Ni
    
    Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  38–41
20. Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1464–1468
21. Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1425–1429
22. Optical properties of GaN nanowires grown by MBE on SiC/Si(111) hybrid substrate
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  509
23. Luminescence of ZnMnTe/ZnMgTe heterostructures with monolayer manganese inclusions in ZnTe quantum wells and its behavior in a magnetic field
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  481
24. Hybrid GaAs/AlGaAs nanowire – quantum dot system for single photon sources
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  469
25. Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  5–9
26. Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 44:3 (2018),  55–61
27. Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1587
28. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1525–1529
29. Автокаталитический синтез нитевидных нанокристаллов CdTe методом магнетронного осаждения
    
    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2314–2318
30. Оптические свойства теллурида цинка с субмонослоями теллурида кадмия
    
    Физика твердого тела, 58:10 (2016),  2034–2037
31. Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1644–1646
32. Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/ AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1441–1444
33. Фотоэлектрические свойства массива аксиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 41:9 (2015),  71–79
34. Компьютерное моделирование структуры и рамановских спектров политипов GaAs
    
    Физика твердого тела, 55:6 (2013),  1132–1141
35. Композитная система на основе квантовых точек CdSe/ZnS и нитевидных нанокристаллов GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1356–1360
36. Исследование фотоэлектрических свойств массивов нитевидных нанокристаллов GaAs : Be
    
    Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  797–801
37. Особенности спектров рамановского рассеяния нитевидных кристаллов на основе соединений $A_3B_5$
    
    Физика твердого тела, 53:7 (2011),  1359–1366