|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Управление направлением роста планарных нитевидных нанокристаллов
Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025), 195–198
-
Проявление упорядоченной генерации в разупорядоченной среде вискеров ZnO
Физика твердого тела, 66:7 (2024), 1180–1184
-
Ретрансляция возбуждения люминесценции при каскадных переходах в гибридных наноструктурах на основе ННК InP/InAsP/InP И КТ CdSe/ZnS-TOPO
Оптика и спектроскопия, 131:10 (2023), 1403–1411
-
Кинетика самопроизвольного формирования структуры ядро-оболочка в нитевидных нанокристаллах (In,Ga)As
Письма в ЖТФ, 48:3 (2022), 32–35
-
Точная модель самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов Ga(As, P)
Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 969–972
-
Изменение кристаллической фазы в гетероструктурных Ga(As, P) нитевидных нанокристаллах под воздействием упругих напряжений
Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1117–1121
-
Impact of elastic stress on crystal phase of GaP nanowires
Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2316
-
Механизм роста пар–кристалл–кристалл Au-каталитических GaAs-нитевидных нанокристаллов
Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 370–380
-
Роль упругих напряжений при формировании нитридных нитевидных нанокристаллов с кубической кристаллической структурой
Письма в ЖТФ, 45:20 (2019), 39–42
-
Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs
Письма в ЖТФ, 45:16 (2019), 37–40
-
Рост нанотрубок и нитевидных нанокристаллов GaN с катализатором Au–Ni
Письма в ЖТФ, 45:4 (2019), 38–41
-
Фотодинамика нелинейных эффектов при воздействии пикосекундного лазерного излучения на коллоидные растворы квантовых точек CdSe/ZnS
Оптика и спектроскопия, 125:5 (2018), 658–663
-
Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом
Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1464–1468
-
Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы
Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 5–9
-
Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы
Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1587
-
Новый метод формирования гетеропереходов в A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллах
Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1592–1594
-
Влияние формы капли на кристаллическую структуру нитевидного нанокристалла
Письма в ЖТФ, 41:24 (2015), 58–63
-
Особенности формирования гетероперехода в нитевидном нанокристалле
Письма в ЖТФ, 41:5 (2015), 1–8
-
Исследование электрических свойств одиночных (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов
Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 358–363
-
Начальная стадия роста самоиндуцированных нитевидных нанокристаллов GaN
Письма в ЖТФ, 40:11 (2014), 45–52
-
Новый метод определения модуля Юнга (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов с помощью растрового электронного микроскопа
Физика твердого тела, 55:11 (2013), 2118–2122
-
Влияние потока мышьяка при молекулярно-пучковой эпитаксии самокаталитических нитевидных нанокристаллов(Ga,Mn)As
Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013), 1425–1430
-
Статистика нуклеации при росте нитевидных нанокристаллов
Письма в ЖТФ, 39:14 (2013), 77–85
-
Влияние диффузии с боковой поверхности на скорость роста нитевидных нанокристаллов GaN
Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012), 857–860
-
Смачивающий режим роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов: устойчивость и форма капли
Письма в ЖТФ, 38:5 (2012), 41–48
-
Самосогласованная модель роста и кристаллической структуры нитевидных нанокристаллов с учетом диффузии адатомов
ЖТФ, 81:2 (2011), 153–156
-
Численный анализ влияния флуктуаций на рост зародышей при фазовых переходах первого рода
Письма в ЖТФ, 37:13 (2011), 14–23
-
Начальный этап роста нитевидных нанокристаллов
Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010), 114–117
© , 2026