Хвостикова Ольга Анатольевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности тестирования микроразмерных фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  205–208
2. Микроразмерные GaSb фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения высокой плотности
   
   Письма в ЖТФ, 51:4 (2025),  50–53
3. Фотоэлектрический приемник лазерного излучения на основе германия
   
   ЖТФ, 94:5 (2024),  801–807
4. Моделирование профилей распределения алюминия в эпитаксиальном слое в системе Al–Ga–As–Sn
   
   Письма в ЖТФ, 50:1 (2024),  36–38
5. Получение градиентных слоев в четырехкомпонентной системе Al–Ga–As–Sn методом жидкофазной эпитаксии
   
   ЖТФ, 93:10 (2023),  1476–1480
6. Термофотоэлектрические GaSb-преобразователи излучения инфракрасных селективных эмиттеров
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  956–959
7. Модули фотоэлектрических преобразователей лазерного ($\lambda$ = 809–850 nm) излучения
   
   ЖТФ, 90:10 (2020),  1764–1768
8. Тритиевые источники электропитания на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 45:23 (2019),  30–33
9. Исследование омических контактов мощных фотоэлектрических преобразователей
   
   Письма в ЖТФ, 45:1 (2019),  12–15
10. Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1647–1650
11. Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 808 нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  385–389
12. Высокоэффективные AlGaAs/GaAs фотоэлектрические преобразователи с торцевым вводом лазерного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 44:17 (2018),  42–48
13. Фотоэлектрический приемник лазерного излучения ($\lambda$ = 809 нм) на основе GаAs
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  676–679
14. Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1550 нм) на основе GaSb: метод получения и характеристики
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1358–1362
15. Высокоэффективные фотоэлементы на основе GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  273–279
16. Термофотоэлектрические генераторы на основе антимонида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  270–277