Сорокина Светлана Валерьевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. NEXAFS-спектроскопия нанопленочной системы О$_2$–Yb–Si(111)
   
   Письма в ЖТФ, 52:4 (2026),  47–50
2. Кинетика формирования силицидных фаз в тонкопленочной системе Yb-Si(111)
   
   ЖТФ, 95:4 (2025),  805–811
3. Фотоэлектрические преобразователи террасированного типа на основе GaSb
   
   Письма в ЖТФ, 51:14 (2025),  15–19
4. К вопросу о тонкой структуре 2$p$-спектров поверхности (100) кремния
   
   Физика твердого тела, 66:7 (2024),  1213–1220
5. Физическая природа термической устойчивости молекул кислорода на поверхности нанопленок иттербия
   
   Физика твердого тела, 66:5 (2024),  775–780
6. Фотоэлектрический приемник лазерного излучения на основе германия
   
   ЖТФ, 94:5 (2024),  801–807
7. Влияние разрешения, глубины выхода и дефектов на форму линии 2$p$-спектров поверхности Si(100)
   
   Оптика и спектроскопия, 132:10 (2024),  1031–1037
8. Электрохимическое осаждение контактных материалов к мощным фотоэлектрическим преобразователям на основе GaSb
   
   Письма в ЖТФ, 50:22 (2024),  7–10
9. Исследование методами электронной оже-спектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии длины свободного пробега электрона в нанопленках иттербия
   
   Письма в ЖТФ, 50:18 (2024),  15–17
10. Обратимый фазовый переход $c$ (4 $\times$ 4) $\leftrightarrow$ (1 $\times$ 2) на поверхности Ba/Ge(100), управляемый адсорбцией и десорбцией кислорода
    
    Физика твердого тела, 65:4 (2023),  676–686
11. Влияние двойного электрического слоя на адсорбционные и каталитические свойства поверхности нанопленок иттербия
    
    ЖТФ, 93:6 (2023),  829–835
12. Фронтальный контакт к GaSb-фотопреобразователям: свойства и температурная стабильность
    
    Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  35–41
13. Термофотоэлектрические GaSb-преобразователи излучения инфракрасных селективных эмиттеров
    
    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  956–959
14. Модули фотоэлектрических преобразователей лазерного ($\lambda$ = 809–850 nm) излучения
    
    ЖТФ, 90:10 (2020),  1764–1768
15. Модуль фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1135–1139
16. Тритиевые источники электропитания на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 45:23 (2019),  30–33
17. Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1647–1650
18. Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм) на основе GaInAsP/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1641–1646
19. Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 808 нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  385–389
20. Фотоэлектрический приемник лазерного излучения ($\lambda$ = 809 нм) на основе GаAs
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  676–679
21. Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1550 нм) на основе GaSb: метод получения и характеристики
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1358–1362
22. Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1242–1246
23. Моделирование характеристик фотопреобразователей лазерного излучения InGaAs/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  132–137
24. Моделирование омических потерь в фотопреобразователях лазерного излучения для длин волн 809 и 1064 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  125–131
25. Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения для длин волн $\lambda\approx$ 1550 нм на основе GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1104–1107
26. Температурная стабильность контактных систем фотоэлектрических преобразователей на основе GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1280–1286
27. Концентраторные фотоэлектрические модули со спектральным расщеплением света с солнечными элементами на основе структур AlGaAs/GaAs/GaSb и GaInP/InGaAs(P)
    
    ЖТФ, 83:7 (2013),  106–110
28. Высокоэффективные фотоэлементы на основе GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  273–279
29. Снижение омических потерь и повышение мощности фотоэлектрических преобразователей на основе антимонида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1266–1273
30. Высокоэффективный ($\eta$ = 39.6%, AM 1.5D) каскад фотопреобразователей в системе со спектральным расщеплением солнечного излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  810–815
31. Газовый термофотоэлектрический генератор на основе металлических эмиттеров и GaSb-элементов
    
    Физика и техника полупроводников, 44:9 (2010),  1284–1289
32. Термофотоэлектрические генераторы на основе антимонида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  270–277