RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Власов Алексей Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Вариации электрического потенциала металлической наночастицы на диэлектрике

    Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  620–628
  2. Самокаталитический рост GaInP-наноструктур на подложках кремния из паровой фазы: выбор состава источника и каталитических капель

    Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  265–269
  3. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов (Al,Ga)InP$_2$

    Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025),  130–135
  4. Фотоэлектрические преобразователи террасированного типа на основе GaSb

    Письма в ЖТФ, 51:14 (2025),  15–19
  5. Самокаталитический рост GaInP-наноструктур на кремнии из паровой фазы

    Письма в ЖТФ, 51:9 (2025),  45–49
  6. Фазовое расслоение в твердых растворах AlGaAsSb/GaSb

    Письма в ЖТФ, 51:3 (2025),  10–12
  7. Влияние степени атомного упорядочения на сегнетоэлектрические свойства твердых растворов GaInP$_2$

    Оптика и спектроскопия, 132:11 (2024),  1127–1130
  8. Локальное легирование монослойного WSe$_2$ на пьезоэлектрических подложках GaInP$_2$ и GaN

    Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024),  401–408
  9. Оптическая диагностика гетероструктур на основе InGaAsP/InP(001)

    Письма в ЖТФ, 50:15 (2024),  47–50
  10. Моделирование профилей распределения алюминия в эпитаксиальном слое в системе Al–Ga–As–Sn

    Письма в ЖТФ, 50:1 (2024),  36–38
  11. Получение градиентных слоев в четырехкомпонентной системе Al–Ga–As–Sn методом жидкофазной эпитаксии

    ЖТФ, 93:10 (2023),  1476–1480
  12. Пространственно-селективная эпитаксия квантовых точек InP/GaInP$_2$ из металлоорганических соединений

    Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  620–623
  13. Разработка технологии изготовления фотоприемников мощного лазерного излучения на длину волны 1.06 мкм

    Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  590–593
  14. Особенности роста нитевидных наноструктур InP на подложках кремния из паровой фазы

    Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  530–533
  15. Процессы твердофазного замещения фосфором в InAs и InSb

    Письма в ЖТФ, 49:20 (2023),  20–22
  16. Влияние состава источника на планарный рост нитевидных наноструктур при каталитическом росте в квазизамкнутом объеме

    Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1082–1087
  17. Получение анизотипных гетероструктур для фотоэлектрического преобразователя на основе GaSb за счет твердофазных реакций замещения

    Письма в ЖТФ, 48:21 (2022),  3–5
  18. Легированный кремнием GaSb, выращенный методом ГФЭМОС в широком диапазоне соотношений V/III

    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  932–936
  19. Замена туннельных переходов в InP на каналы проводимости с кристаллитами GaP

    Письма в ЖТФ, 47:22 (2021),  52–54
  20. Выглаживание поверхности антимонида галлия

    Письма в ЖТФ, 46:23 (2020),  48–50
  21. Латеральные наноструктуры Ga(In)AsP как часть оптической системы фотопреобразователей на основе GaAs

    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1714–1717
  22. Высокоомный антимонид галлия, полученный методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений

    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1599–1603
  23. Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1512–1518
  24. Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине

    Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  22–25
  25. Исследование омических контактов мощных фотоэлектрических преобразователей

    Письма в ЖТФ, 45:1 (2019),  12–15
  26. Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп

    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1647–1650
  27. Рост наноструктур в системе Ga(In)AsP–GaAs в квазиравновесных условиях

    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1244–1249
  28. Wigner localization and whispering gallery modes of electrons in quantum dots

    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  478
  29. Density control of InP/GaInP quantum dots grown by metal-organic vapor-phase epitaxy

    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  477
  30. Лазерная генерация в микродисках с активной областью на основе решеточно-согласованных InP/AlInAs наноструктур

    ЖТФ, 87:7 (2017),  1066–1070
  31. Модельный расчет высокоскоростного соударения тел различной формы с массивными металлическими преградами

    ЖТФ, 87:7 (2017),  1033–1039
  32. Формирование $p$-эмиттера с участием сурфактантов в GaAs фотоэлектрических преобразователях

    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  699–703
  33. Модификация поверхности GaAs и наблюдение эффекта гигантского рамановского рассеяния после диффузии индия

    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  611–614
  34. Высокоскоростное деформирование нанокристаллических железа и меди

    ЖТФ, 86:11 (2016),  70–74
  35. Пространственно-контролируемый рост одиночных квантовых точек InP

    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1120–1123
  36. Концентраторные фотоэлектрические модули со спектральным расщеплением света с солнечными элементами на основе структур AlGaAs/GaAs/GaSb и GaInP/InGaAs(P)

    ЖТФ, 83:7 (2013),  106–110
  37. Групповое высокоскоростное внедрение в хрупкие материалы

    Письма в ЖТФ, 39:5 (2013),  69–75
  38. Высокоэффективный ($\eta$ = 39.6%, AM 1.5D) каскад фотопреобразователей в системе со спектральным расщеплением солнечного излучения

    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  810–815
  39. Газовый термофотоэлектрический генератор на основе металлических эмиттеров и GaSb-элементов

    Физика и техника полупроводников, 44:9 (2010),  1284–1289
  40. Термофотоэлектрические генераторы на основе антимонида галлия

    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  270–277
  41. Высокоэффективные фотоэлементы на основе твердых растворов In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As с изовалентным легированием

    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  240–245

© МИАН, 2026