Левин Роман Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Контактные системы “мостикового” типа в InGaAs/InP фотоэлектрических преобразователях
   
   ЖТФ, 96:2 (2026),  345–350
2. Самокаталитический рост GaInP-наноструктур на подложках кремния из паровой фазы: выбор состава источника и каталитических капель
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  265–269
3. Самокаталитический рост GaInP-наноструктур на кремнии из паровой фазы
   
   Письма в ЖТФ, 51:9 (2025),  45–49
4. Фазовое расслоение в твердых растворах AlGaAsSb/GaSb
   
   Письма в ЖТФ, 51:3 (2025),  10–12
5. Анализ процесса диффузии Zn из газовой фазы в материалах InGaAs/InP
   
   Письма в ЖТФ, 50:22 (2024),  48–52
6. Исследование технологии изготовления мощных ИК (850 nm) светодиодов, получаемых методом переноса AlGaAs–GaAs-гетероструктуры на подложку-носитель
   
   ЖТФ, 93:1 (2023),  170–174
7. Влияние режимов формирования контактной системы Pd/Ge/Au к $n$-GaAs на ее электрические характеристики
   
   Письма в ЖТФ, 49:3 (2023),  15–18
8. Особенности роста слоев в напряженных сверхрешетках InAs/GaSb
   
   Письма в ЖТФ, 48:3 (2022),  10–13
9. Легированный кремнием GaSb, выращенный методом ГФЭМОС в широком диапазоне соотношений V/III
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  932–936
10. Выглаживание поверхности антимонида галлия
    
    Письма в ЖТФ, 46:23 (2020),  48–50
11. Исследование влияния легирования на переходные слои анизотипных гетероструктур на основе GaInAsP и InP, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  22–24
12. Исследование возможностей метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений для изготовления тонких слоев InAs/GaSb
    
    ЖТФ, 89:10 (2019),  1592–1597
13. Высокоомный антимонид галлия, полученный методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
    
    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1599–1603
14. Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1512–1518
15. Исследование возможности изготовления напряженных сверхрешеток InAs/GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  273–276
16. Электролюминесценция в гетероструктурах $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой, выращенных методом МОГФЭ
    
    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  50–54
17. Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине
    
    Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  22–25
18. Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм) на основе GaInAsP/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1641–1646
19. Эффект увеличения фотопроводимости в гетероструктуре II типа $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой
    
    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  906–911
20. Изготовление и исследование коммутирующих $p$–$n$-переходов для каскадных фотопреобразователей
    
    Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  25–31
21. Исследование градиента состава слоев GaInAsP, полученных на InP методом газофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  17–24
22. Исследование переходных областей гетероструктур InAsPSb/InAs, полученных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Письма в ЖТФ, 43:19 (2017),  78–86
23. Релаксация напряжений в InGaAsP/InP-гетероструктурах для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 nm
    
    Письма в ЖТФ, 43:2 (2017),  3–9
24. Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1550 нм) на основе GaSb: метод получения и характеристики
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1358–1362
25. Сверхрешетки InAs/GaSb, изготовленные методом МОС-гидридной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 42:2 (2016),  79–84
26. Фотоэлектрические преобразователи концентрированного солнечного излучения на основе InGaAsP(1.0 эВ)/InP-гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  715–718
27. Исследование постростового процесса изготовления квантовых каскадных лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1132–1137
28. Получение и исследование $p$–$n$-структур с кристаллическими включениями в области пространственного заряда
    
    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1677–1680
29. Твердые растворы AlInAsSb и AlGaInAsSb для барьерных слоев источников излучения спектрального диапазона 3–5 $\mu$m, полученные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
    
    Письма в ЖТФ, 38:19 (2012),  66–74
30. Исследование свойств слоев узкозонных (0.3–0.48 eV) твердых растворов A$^3$B$^5$, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
    
    Письма в ЖТФ, 38:9 (2012),  23–30


31. Enhancement of photoconductivity by carrier screening effect in $n$-GaSb/$n$-InAs/$p$-GaSb heterostructure with single deep quantum well
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  476