Шоболов Евгений Львович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Ток утечки через подзатворный диэлектрик в транзисторах с длиной канала до 100 нм
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  693–699
2. Кремниевый металл-оксид-полупроводник транзистор с зависимым контактом к карману и двухслойным поликремниевым затвором
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  916–921
3. Прогнозирование величины захваченного заряда в захороненном оксиде кремния структур кремний-на-изоляторе с применением эффекта Пула–Френкеля
   
   Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  441–445
4. Эффект Пула–Френкеля и возможность его применения для прогнозирования радиационного накопления заряда в термическом диоксиде кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  990–994
5. Формирование фторсодержащих дефектов и нанокристаллов в SiO$_2$ при имплантации ионов фтора, кремния и германия: компьютерное моделирование и фотолюминесцентная спектроскопия
   
   Физика твердого тела, 57:11 (2015),  2106–2111
6. Применение имплантации ионов кремния для формирования структурно-совершенных слоев кремния на сапфире
   
   Физика и техника полупроводников, 45:12 (2011),  1662–1666