Каргин Николай Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Наносенсор слабых магнитных полей на основе крамерсово-вырожденной спиновой системы $^{14}$NV–$^{13}$C
   
   Письма в ЖТФ, 51:13 (2025),  7–10
2. Релаксация механических напряжений в эпитаксиальных пленках кубического карбида кремния на кремниевых подложках с буферным пористым слоем
   
   ЖТФ, 91:6 (2021),  988–996
3. Фотонные кристаллы BaTiO$_{3}$/SiO$_{2}$, сформированные золь-гель методом
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  912–915
4. Электронный квантовый транспорт в псевдоморфных и метаморфных квантовых ямах на основе In$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As
   
   Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  359–364
5. Влияние механического растяжения на адсорбционные свойства легированного азотом графена
   
   Физика твердого тела, 60:4 (2018),  816–820
6. Электронный транспорт в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs РНЕМТ при различных температурах: влияние одностороннего дельта-легирования Si
   
   Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  201–206
7. Эффективная масса и время релаксации импульса электронов в односторонне $\delta$-легированных PHEMT квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs с высокой электронной плотностью
   
   Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  120–127
8. Особенности ионизации доноров кремния и рассеяние электронов в псевдоморфных квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs при сильном одностороннем $\delta$-легировании
   
   Письма в ЖТФ, 44:4 (2018),  34–41
9. Фотолюминесценция массивов квантовых колец GaAs/AlGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  652–657
10. Увеличение подвижности электронов в НЕМТ гетероструктурах с составным спейсером, содержащим нанослои AlAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1660–1665
11. Технология и электронные свойства PHEMT-квантовых ям AlGaAs/In$_{y(z)}$Ga$_{1-y(z)}$As/GaAs с переменным профилем состава
    
    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1258–1264
12. Структурные свойства эпитаксиальных пленок твердого раствора (SiC)$_{1-x}$(AlN)$_x$, полученных магнетронным распылением составных мишеней SiC с Al
    
    Письма в ЖТФ, 40:7 (2014),  49–55