Орлова Татьяна Алексеевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Газофазная эпитаксия слоев AlN на наноструктурированном темплейте AlN/Si(100), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления
   
   ЖТФ, 94:6 (2024),  944–947
2. HVPE эпитаксия полуполярных AlN(10$\bar{1}$1) слоев на темплейте AlN/Si(100)
   
   Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  474–477
3. Морфология поверхности полуполярных GaN-слоев при эпитаксии на наноструктурированной подложке Si
   
   ЖТФ, 92:5 (2022),  720–723
4. Начальные стадии роста полуполярного AlN на наноструктурированной Si(100) подложке
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  908–911
5. Бипланарные эпитаксиальные AlN/SiC/$(n,p)$SiC-структуры для приборов высокотемпературной функциональной электроники
   
   ЖТФ, 90:3 (2020),  450–455
6. Cвойства полуполярного GaN, выращенного на подложке Si(100)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  1006–1009
7. Полуполярные GaN-слои на наноструктурированной Si(100)-подложке
   
   Письма в ЖТФ, 44:12 (2018),  45–51
8. Влияние поверхностно-активных веществ на эпитаксиальный рост нитрида галлия, выращенного из газовой фазы в системе Ga–HCl–NH$_3$–H$_2$–Ar
   
   Письма в ЖТФ, 41:10 (2015),  29–34
9. Генерирование широкополосного гауссовского случайного сигнала
   
   Письма в ЖТФ, 36:15 (2010),  102–110