Макарцев Илья Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние разориентации подложки на свойства $p$-НЕМТ наногетероструктур на основе GaAs, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии
   
   ЖТФ, 92:10 (2022),  1582–1587
2. Модель для многопараметрического анализа параметров короткоканальных транзисторов типа НЕМТ
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  618–623
3. Влияние технологии двойного травления под затвор на параметры HEMT транзисторов на подложках GaAs и InP
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  890–894
4. InAlAs/InGaAs/InP HEMTs с композитным каналом и улучшенными пробивными характеристиками
   
   Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  29–33