Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Эпитаксия AlN$(11\bar{2}2)$-слоев на GaN$(11\bar{2}2)$/$m$-Al$_2$О$_3$-темплейте методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
Письма в ЖТФ, 51:16 (2025), 42–44
-
HVPE эпитаксия полуполярных AlN(10$\bar{1}$1) слоев на темплейте AlN/Si(100)
Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024), 474–477
-
Особенности роста слоев в напряженных сверхрешетках InAs/GaSb
Письма в ЖТФ, 48:3 (2022), 10–13
-
Модификация структурно-морфологических свойств германия в многослойной нанопериодической структуре Al$_{2}$O$_{3}$/Ge с промежуточными слоями Si при отжиге
Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 882–889
-
Многослойные InGaAs-гетероструктуры “квантовая яма-точки” в фотопреобразователях на основе GaAs
Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1131–1136
-
Квантовые точки InSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии на подложке InGaAsSb/GaSb
Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1146–1150
© , 2026