Земляков Валерий Евгеньевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Модификация параметров AlGaN/GaN-транзисторных структур пассивацией и обработкой в водородной плазме
   
   ЖТФ, 96:2 (2026),  336–344
2. Исследование характеристик AlGaN/GaN СВЧ-транзисторов с полевыми электродами на подложке кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025),  370–375
3. Влияние температуры на напряжение переключения лавинных $S$-диодов
   
   Письма в ЖТФ, 51:4 (2025),  23–26
4. Механизм последовательного включения токовых шнуров в лавинном $S$-диоде
   
   Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024),  393–399
5. Анализ нелинейных искажений D$p$HEMT структур на основе соединения GaAs/InGaAs с двусторонним дельта-легированием
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  844–847
6. Особенности температурной стабильности сопротивления омических контактов к наногетероструктурам на основе GaAs и GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1260–1263
7. Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик pHEMT на основе соединения GaAlAs/InGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  872–876
8. Исследование ионной имплантации азота через слой нитрида кремния для межприборной изоляции силовых GaN/Si-транзисторов
   
   Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  15–17
9. Исследование влияния атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  748–752
10. Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN
    
    Письма в ЖТФ, 45:15 (2019),  21–24
11. AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов
    
    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  395–402
12. Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1599–1604
13. Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1401–1407
14. Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после $\gamma$-нейтронного облучения
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  331–338
15. Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/ AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  245–249
16. Нормально закрытые транзисторы на основе in situ пассивированных гетероструктур AlN/GaN
    
    Письма в ЖТФ, 42:14 (2016),  72–79
17. Cолнечно-слепые Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$-фотодиоды с поляризационно-легированным $p$-эмиттером
    
    Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  57–63
18. Исследование влияния параметров затворной области на статические характеристики полевых СВЧ-транзисторов на основе псевдоморфных гетероструктур AlGaAs–InGaAs–GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1405–1409
19. Электрохимическое вольт-емкостное профилирование концентрации свободных носителей заряда в HEMT-гетероструктурах на основе соединений InGaAs/AlGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  829–835
20. Исследование свойств монокристаллического алмаза, выращенного из газовой фазы на подложках из природного алмаза
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  403–407
21. Широкоапертурный детектор терагерцового излучения на основе транзисторной структуры GaAs/InGaAs со щелевым решеточным затвором большой площади
    
    Письма в ЖТФ, 36:8 (2010),  39–47