Хазанова Софья Владиславовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Флуктуационный анализ микрорельефа поверхности структур кремний-на-изоляторе после радиационного воздействия
   
   Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024),  668–675
2. Расчет транспортных характеристик двуслойного графена с различным углом разориентации
   
   Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  357–361
3. Анализ нелинейных искажений D$p$HEMT структур на основе соединения GaAs/InGaAs с двусторонним дельта-легированием
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  844–847
4. Проектирование дизайна туннельно-связанных квантовых ям для создания модулятора по схеме Маха–Цендера
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  833–838
5. Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик pHEMT на основе соединения GaAlAs/InGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  872–876
6. Экспериментальные исследования модификации характеристик GaAs-структур с контактами Шоттки после воздействия быстрых нейтронов
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  846–849
7. Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора $\sim$100 нм
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  968–973
8. Влияние электрического поля на соотношение параметров Рашба и Дрессельхауза в гетероструктурах А$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$
   
   Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1462–1467
9. Влияние пространственного расположения $\delta$-слоя Si на оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  145–148
10. Влияние технологических параметров роста на характеристики двойных туннельно-связанных ям InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  58–62
11. Моделирование эффективного профиля концентрации в гетероструктурах InGaAs/GaAs с $\delta$-легированными слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  53–57
12. Определение концентрации и подвижности электронов в окрестности квантовой ямы и $\delta$-слоя Si в гетероструктурах InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1532–1536
13. Туннельно-связанные квантовые ямы InGaAs/GaAs: структура, состав и энергетический спектр
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1510–1514