Хрыкин Олег Игоревич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Структурные и сверхпроводящие свойства пленок вольфрама и иридия для низкотемпературных микрокалориметров
   
   Физика твердого тела, 66:7 (2024),  1075–1080
2. Невплавные омические контакты с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза $p$- и $n$-типа и их термическая стабильность
   
   Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024),  409–414
3. Влияние параметров индуктивно-связанной плазмы хлорпентафторэтана на скорость и характеристики травления арсенида галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  685–688
4. Влияние термического отжига на транспортные свойства низкобарьерных диодов Мотта Ti/AlGaN/GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  627–629
5. Влияние добавки хлорпентафторэтана в составе хлорсодержащей плазмы на скорость и характеристики профиля травления арсенида галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  837–840
6. Проверка гипотезы о термоупругом характере деформации слоя (0001)GaN, выращенного на $a$-срезе сапфира
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1380–1383
7. Исследование анизотропии структурных свойств слоев (0001)GaN, выращенных методом МОГФЭ на $a$-срезе сапфира (11$\bar2$0)
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1300–1303
8. Низкотемпературное осаждение пленок SiN$_{x}$ в индуктивно-связанной плазме SiH$_{4}$/Ar + N$_{2}$ в условиях сильного разбавления силана аргоном
   
   Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1503–1506
9. Erratum to: “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron”
   
   Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1151
10. Селективный анализ элементного состава нанокластеров InGaAs/GaAs методом вторично-ионной масс-спектрометрии
    
    Письма в ЖТФ, 43:10 (2017),  50–59
11. Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1595–1598
12. Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1532–1536
13. Слои Si$_3$N$_4$ для in situ пассивации транзисторных структур на основе GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1469–1472
14. Монокристаллические слои GaN/AlN на CVD-алмазе
    
    Письма в ЖТФ, 41:19 (2015),  73–80
15. Рост с высокими скоростями пленок InN на подложках фианита и сапфира методом металлоорганической газофазной эпитаксии с плазменной активацией азота
    
    Письма в ЖТФ, 41:6 (2015),  17–25
16. Анализ состава твердых растворов (Al, Ga)As методами вторично-ионной масс-спектрометрии и рентгеновской дифрактометрии
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1419–1423
17. Рост пленок InN методом металлоорганической газофазной эпитаксии при активации азота в плазме, создаваемой гиротронным излучением
    
    Письма в ЖТФ, 38:24 (2012),  86–94
18. Фотопроводимость структур InAs/GaAs с нанокластерами InAs в ближнем инфракрасном диапазоне
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1511–1513